SJ_T 2658.7-2015半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52034-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.7—2015代替SJ/T2658.7—1986半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 7: Radiant flux2016-04-01实施2015-10-10发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.7—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻INRORMATIONAEATRYA第6部分：辐射强用第8部分：第9部分国第10部调制带宽TECHNOL第11旧应时间第12工峰值发射和光谱辐射带宽；第133分：辐射功率幸温度系数第14结温；部分：第15热阻；第16光电转换分8888888本部分为S/23958的第7部本部分按照GBF2009《标准导则第1部分标准的结构和编写》给出的规则起草。本部分代替SJ/T-1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射通量的测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化口修改了辐射通量的测量原理图（见图1）；S细化了辐射通量的测量步骤（见5.2）；RD补充了辐射通量测量方法的规定条件（见5.3）请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归工本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T2658.7—1986。1 SJ/T2658.7—2015半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3. 1辐射通量 radiant fluxde在规定的正向电流作用下，器件所辐射的全部通量。4一般要求测量辐射通量的一般要求应符合SJ/T2658.1。5测量方法5.1测量原理图辐射通量的测量原理图见图1。 SJ/T2658.7—2015指示用电表探测头积分球“DUT光度探测系统遮光屏PINFORMATIONAINDUSTRK说明：?DUT被测器件AG恒流源HO电流表A光度注1：被测器件辐射经积产生与辐射通量成比例的均匀光N深测系统的探测射的光水INO系统屏敲来自被测器的直接辐射头位于积分球内壁测量辐射通量；遮光屏为探注2：可采用变光度则量。很多；球内壁和遮光光度探测系“被测器件、遮系统的探测实可积相比梦表器积核屏表面应有一层金考虑到辐射通量由（不小于0.8）球和光度组合应该校高均匀度、高反射的漫反射镀NIN于功率消耗产生的图1辐射通量的测量原理图RDS5.2测量步骤S辐射通量的测量按下列步骤进行。按图1连接测量系统，将被测器件放在积分球处遮光屏，以避免光度探测系统的探a)测头直接受到光辐射；b)调节电流源，给被测器件施加规定的正向电流IF，用光度探测系统测量辐射通量值Φe。5.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：环境温度；a)b)正向电流IF。2 中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量SJ/T 2658.7—2015*编制中国电子技术标准化研究院中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×12301/16印张：字数：12千字22015年12月第一版2015年12月第一次印刷印数：200册定价：20.00元版权专有不得翻印举报电话：（010