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一种高栅锁阈值分裂栅功率MOSFET结构和制造方法.pdfVIP

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  • 2023-08-09 发布于四川
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一种高栅锁阈值分裂栅功率MOSFET结构和制造方法.pdf

    本发明公开了一种高栅锁阈值分裂栅功率MOSFET结构和制造方法，分裂栅功率MOSFET结构包括：自下而上依次设于衬底上的掺杂一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层和第三半导体层的掺杂浓度；设于第一半导体层至第三半导体层中的多个栅沟槽，栅沟槽中自下而上形成有场板结构、隔离层和栅极结构，场板结构中的场板电极的顶部横向尺寸大于底部横向尺寸，场板氧化层的厚度大于栅氧化层的厚度。本发明能显著提高器件的抗栅锁能力，同时可在获得相同反向耐压的条件下进一步降低导通电阻，从

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116565002 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310676040.7 (22)申请日 2023.06.08 (71)申请人 苏州聚谦半导体有

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