SJ_T 11550-2015晶体硅光伏组件用浸锡焊带.pdf

ICS 31-030L 90SJ备案号：52010-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T11550—2015晶体硅光伏组件用浸锡焊带Tin-based solder dipping ribbon used for crystalline silicon photovoltaic (PV)modules2016-04-01实施2015-10-10发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部2010 SJ/T11550—2015言前本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：无锡尚德太阳能电力有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院、江苏太阳光伏科技有限公司、秦皇岛市昌联光伏电子苏州宇邦新型材料有限公司、无锡斯威克科技有限公司公司、中国赛宝实验室。NDNRR本标准主要起草人：SEINDUSTRAND裴会川、裴学锋、何小彬、ORMATION业杯肖锋、程中广、刘子莲TECHNOLOGYHO88888SINRDSSND SJ/T11550—2015晶体硅光伏组件用浸锡焊带1范围本标准规定了晶体硅光伏组件用浸锡焊带的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于晶体硅光伏组件生产过程中所使用的浸锡焊带。ANDINFON2规范性引用文件RMRY科仅法口期的版本适用于本文件。下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文凡是不注日期的引用其最新版本（包括所有的修改单）适用手在文文件GB/T 228.1金料验部室温试验方法GB/T 1216分尺数抽样GB/T2828星序第1部按接收质量限QL）L)检索的逐批验抽样计划MGB/T 304线电缆试验方法第2部分：金属材料电阳阻率试验CHNOL化学分量的测定GB/T3260部分）GB/T511人所AGB/T523铜及铜化学成分和和氧化GB/T 646AGB/T 8012锡铅焊铸潢00GB/T 81452GB/T 9056LGB/T 9535地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T10574（所直部分）锡铅焊料化学分析方法ANDARDS无氧铜板机带GB/T14594游标、带表和数显卡下GB/T21389化学SJ/T11392无铅焊料YS/T746.13·无铅锡基焊料化学分析方法策13部分：镍含量的测定火焰原子吸收光谱法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1浸锡焊带tin-basedsolderdippingribbon用热浸镀的方法，在一定尺寸的铜带表面涂敷一定厚度的锡基焊料而形成的复合导电材料。1 SJ/T1155020153. 2互连条ribbon用于连接太阳电池，收集、传输太阳电池电流的浸锡焊带。3. 3汇流条interconnecter用于连接太阳电池串及接线盒，传输太阳电池串电流的浸锡焊带。3. 4镰刀弯camber又称侧弯，浸锡焊带的侧边与测量部分两端点直线之间最大距离与两端点间距离的比值，即浸锡焊带一侧的边缘与直线的偏离度，如图1所示。Lo浸锡焊带-图1镰刀弯测量示意图4符号本标准使用的符号及其说明见表1。表1符号说明符号单位说明A/延伸率：等同于GB/T228.1定义的断裂总延伸率c1镰刀弯RmMPa抗拉强度：材料在试验期间能抵抗的最大力与试样原始截面积之商Rpo.2MPa屈服强度：等同于GB/T228.1定义的规定塑性延伸强度（规定的塑性延伸率为0.2%）Rm2浸锡焊带电阻：在20℃±5℃时，浸锡焊带的体积电阻Rcum2铜基材电阻：在20℃±5℃时，铜基材的体积电阻h浸锡焊带的侧边与测量部分两端点的直线之间的最大距离mmLo浸锡焊带两端点间的距离mmLmm浸锡焊带标距长度T℃环境温度2 SJ/T11550—20155要求5.1铜基材5.1.1成分铜基材成分应符合GB/T5231的要求，互连条铜基材应满足TU2及以上级别的纯铜要求，汇流条铜基材应满足T1及以上级别的纯铜要求。5.1.2厚度允许偏差铜基材的厚度允许偏差应符合表2的规定。全许偏差表但基R偏差LTRY厚度(t)Amm0300.05≤+0.0090.3020.60±0.018I5.2锡层SHO5.2.1成分锡铅焊料成分（除铜元素外）应符012的要求，焊料吸别应达到A级！或级以上；锡铅焊料TR中铜含量应0?无铅焊料成分应符合SJ/13928特淼成分焊料由需双求。必方协商确定。一0厚度5. 2锡焊带两面易层厚度应该度差应不超过mm前对应NIN5.3浸锡焊带5.3.1外观浸锡焊带表面应呈光亮金属状，表面允许有冷凝花纹，不应有露铜、助焊剂残留、脱锡、裂纹、超出厚度允许偏差的锡瘤、毛刺和附着的