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摘要
ZnO是一种具有宽禁带的半导体材料，其禁带宽度约为3.7eV，且生产成本低、对环境无污染、制备方法简易，在光催化方面有着很好的应用前景。由于ZnO禁带宽度较大，作为光催化剂时只能利用紫外光部分进行光催化，为了能够提高光催化效果，更加高效的利用太阳光。可以将ZnO半导体与窄带隙的ZnSe半导体耦合，二者价带与导带交错排列，可形成type-Ⅱ型ZnO/ZnSe异质结。这种异质结可以拓宽光催化剂的光吸收范围，提高光生电子-空穴的产率，更加高效的利用太阳能量。本文通过一种简单的水热法合成了ZnO/ZnSe异质结，通过改变氨水用量来研究其表面形貌变化，并通过光催化实验对其光催化性能进行研究。内容如
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