磁斯格明子的微磁学研究进展和应用∗.docx

? ? 磁斯格明子的微磁学研究进展和应用? ? ? 金晨东 宋承昆 王金帅 王建波2) 刘青芳 1)(兰州大学,磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000) 2)(兰州大学,特殊功能材料与结构设计教育部重点实验室,兰州 730000) 磁斯格明子作为一种具有拓扑保护性质的准粒子受到了磁学与磁性材料领域科学家的广泛关注.本文对磁斯格明子的拓扑性质进行了概述,回顾了磁斯格明子的存在条件以及运输特性,综述了近年来利用微磁学模拟研究的磁斯格明子激发、操控、微波磁场响应以及基于磁斯格明子的器件设计,主要包括赛道存储器、自旋纳米振荡器、晶体管和逻辑门.通过本文的综述,希望为磁斯格明子在未来信息领域的应用提供参考. 1 引 言 早在1962年,英国物理学家Tony Skyrme在建立介子与重子统一场理论时提出了一种拓扑孤立子,这种拓扑孤立子是非线性sigma模型下的非平庸解[1].在该科学家去世后,这种拓扑孤立子被正式命名为斯格明子(skyrmion),以此来纪念该物理学家.随后,大量的研究证明斯格明子也可以存在于量子霍尔体系[2]、玻色爱因斯坦凝聚[3]、液晶材料[4]以及泡畴形式的薄膜中[5].直到2006年,R??ler等[6]在理论上预言了斯格明子可以在磁性材料中存在.2009年,Mühlbauer等[7]首次通过中子散射在低温、磁场存在情况下的MnSi单晶中观察到磁斯格明子,为之后对磁斯格明子的研究奠定了基础.图1(a)为B20结构块体中发现的一种典型的磁斯格明子自旋结构,其中心区域磁矩自旋向下,边界区域的磁矩自旋向上与中心区域磁矩自旋方向相反,中间过渡区域磁矩沿面内排布.磁斯格明子可以视为一种准磁性粒子并且具有拓扑保护的性质.磁斯格明子的拓扑性质可以由下面公式即斯格明子数来定义: 其中q为拓扑密度,m为归一化磁矩.当磁结构的斯格明子数为±1时,那么这个自旋磁结构就可以被认为是磁斯格明子[8]. 磁斯格明子的存在是整个系统中多种能量相互竞争的结果,其中最为常见的是交换相互作用和DMI(Dzyaloshinkii-Moriya interaction,DMI)[9?11]的竞争.DMI的哈密顿量表达式为 其中si与sj是两个相邻的原子自旋,Dij是DM矢量.早期发现DMI存在于原子结构反演对称破缺的B20块体材料中,如:MnSi[7,12],FeCoSi[13?15]与FeGe等[16?19].这种类型的DMI被称为块体DMI,如图1(c)所示.它的存在通常会诱导出布洛赫类型的磁斯格明子(Bloch skyrmion),如图1(a)所示.在晶体结构类似于B20的绝缘体Cu2OSeO3中也可以观测到斯格明子的存在[20].图1(d)所示的另一种界面型DMI被证实存在于结构对称性破缺并且有着强自旋轨道耦合的超薄膜、多层膜中,即通常在重金属与磁性薄膜的交界面处,如Ir(111)/Fe[21],Ta/CoFeB[22]与Pt/Co等[23].这种类型的DMI则会诱导出另一种奈尔类型的磁斯格明子(Néel skyrmion),如图1(b)所示.奈尔类型的磁斯格明子为人工斯格明子,大多可以在较大的范围内稳定存在.而布洛赫类型的磁斯格明子大多只能在低温外加磁场的条件下存在于手性块体磁体中,最近的研究也发现布洛赫磁斯格明子可以在640 K的高温下存在于Fe3Sn2材料中[24,25].除此之外,斯格明子还有其他存在方式以及体系.例如:在Co/Pt多层膜[26]以及赫斯勒合金材料[27]中,各向异性DMI会诱导出反斯格明子;在LaSrM nO[28]以及MnSiGa[29]中存在Biskyrmion;磁斯格明子被间接证明可以存在于纳米线中[12];还有反铁磁斯格明子在理论上证明也可以存在于反铁磁材料中[30?32]. 图1 磁斯格明子结构以及DMI示意图[33] (a)布洛赫类型的斯格明子;(b)奈尔类型的斯格明子;(c)块体类型DMI;(d)界面类型DMIFig.1.Structure of magntic skyrmion and schematic of DMI[33]:(a)B loch skyrmion;(b)Néel skyrmion;(c)bulk DMI;(d)interfacial DMI. 自磁斯格明子被发现以来就引起了科学界的广泛关注,其原因不单单是磁斯格明子展现出了有趣的拓扑保护性质,更重要的是磁斯格明子具有潜在的应用价值,尤其是在自旋存储领域.例如,在2013年,Fert等[33,34]提出将磁斯格明子作为磁存储单元应用到赛道存储器中,通过磁头对磁斯格明子进行探测,存在磁斯格明子时对应磁记录“1”,不存在磁斯格明子时则对应磁记录“0”.研究发现,磁斯格明子作为信息载体相对于赛道存储器中用磁畴记录来说有着显著的