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专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
.
C.输入 MOS 不匹配
D.电路制造中的误差
.标准答案：C
专升本《CMOS 模拟集成电路分析与设计》
8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2 分
一、（共 75 题,共 150 分） ）A.二极管负载差分放大器
1. Gordon Moore 在 1965 年预 :每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一 B. 电流源负载差分放大器
番（2 分） C.有源电流镜差分放大器
A.12B.18C.20D.24 D.Cascode 负载 Casocde 差分放大器
.标准答案：B .标准答案：C
2. MOS 管的小信号输出电阻 是由 MOS 管的（）效应产生的。（2 分） 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2 分）
A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度 W D.器件长度 L .标准
.标准答案：C 答案：D
3. 在 CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS 管工作在（）区。 （2 分
10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略 M3 的体效应。要使 和 严格相等，
）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区
.标准答案：D
4. MOS 管一旦出现（）现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。（2 分）
A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽
.标准答案：A
5. （）表征了MOS 器件的灵敏度。 （2 分）
应取为（）。 （2 分）
A.
B. A.
C. B.
D.
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