Zno薄膜制备手段和方法.docxVIP

[在此处键入] 16 - 摘要 在低温真空状态下，利用CVD设备,在管式炉中放入摩尔比为1:2的ZnO和C粉原料。在实验之前，我们必须将仪器的管式炉抽成真空状态，还要让内部真空的压强和大气压的压强是一样大。再在真空管式炉中通入N2气，用Si片作为衬底，在其上面开始镀薄膜。镀完薄膜的时候，夹取硅片要格外小心，不要用手拿，以免给后续的XRD曲线图的测量带来麻烦。在此次实验中，用到的是控制变量法。总共分为两组，第一组是改变蒸发源的温度，结合AFM图像和XRD图像观察所镀到ZnO的表平整度和晶体结构的质量。 当在实验的时候，随着蒸发源温度的升高，在一定的温度范围内，薄膜晶体的结构和表面平整度越来越好