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x波段ganmmic功率放大器研制 0 x波长gan功率放大器 目前，tr组件的功率套筒为gaas芯片，工作压低，工作电流大。当矩阵应用时，对电源和电源的要求非常严格。GaN功率芯片效率和工作电压都比较高,工作温度很高,抗干扰能力强,相对GaAs芯片具有很多优点,克服了GaAs功率芯片的问题,可以有效推动TR组件技术的发展。鉴于宽禁带半导体器件在军事应用上的重要性,西方发达国家均投入大量人力、物力、财力到宽禁带半导体微波功率器件及电路研究之中。2006年德国FBH 研究所H.Klockenhoff等人研制成功X波段16 W GaN基单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC) 功率放大器,线性增益为18 dB,功率附加效率为30%。法国的UMS公司2008年报道了GaN MMIC 8.5～9.5 GHz范围内功率大于30 W,功率附加效率为33%,9.0 GHz最大输出功率大于58 W。2010年报道了GaN MMIC 8.5～10.5 GHz范围内功率大于35 W,功率附加效率为38%,10.5 GHz最大输出功率大于43 W,功率附加效率为52%(测试条件:脉宽为20 μs;占空比为10%)。Cree公司已有GaN MMIC产品CMPA2560025F对外公开,2.5～6 GHz范围内功率大于25 W。Triqu