基于碳纳米管和石墨烯构建的柔性薄膜光学性能研究.docxVIP

基于碳纳米管和石墨烯构建的柔性薄膜光学性能研究 1 碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子技术中的应用 柔性电子技术是将有机或无机材料构件加工为柔性、可伸缩的塑料或薄金属基板的装置制备技术。它独特的柔性、开开性和高效、低成本制造技术在信息、能源、医疗、金融等领域具有广阔的应用前景。例如，电子纸、柔性电池、电子标记、柔性透明显示、柔性电子等。柔性电子技术作为一类新兴的电子技术, 涵盖范围较广, 从基板选用角度被称为塑料电子 (Plastic Electronics) ;从制备工艺角度被称为印刷电子 (Printed Electronics) ;从晶体管沟道材料角度被称为有机电子 (Organic Electronics) 或聚合物电子 (Polymer Electronics) 等。柔性电子技术的发展目标并不是同传统硅基电子技术在高速、高性能器件领域内竞争, 而是实现具有大面积、柔性化和低成本特征的新型电子器件和产品。因此, 在大面积柔性基板上低成本制备出芯片特征尺寸更小的、性能更高的晶体管器件是柔性电子技术发展的关键, 包括多晶硅 (Amorphous Silicon) 、新型金属氧化物半导体 (如a-IGZO等) 、有机半导体 (如Pentacene等) 、碳纳米材料等沟道材料在柔性薄膜晶体管 (Thin-film Transistor) 器件中展现出优异的性能, 推动了柔性电子技术的迅速发展。 碳纳米管 (C a r b o n N a n o t u b e) 和石墨烯 (Graphene) 作为新型碳纳米材料, 自从被发现以来已展现出优异的电学、光学、力学和热学性质。研究表明, 在5 K低温条件下石墨烯展现出230 000 cm2V-1s-1的极高载流子迁移率, 在室温下石墨烯可实现在毫米尺度上的弹道输运 (Ballistic Transport) , 迁移率达100000 cm2V-1s-1。碳纳米管在室温下空穴迁移率达79000 cm2V-1s-1。室温下石墨烯热导率达5300 Wm-1K-1, 超过了单壁碳纳米管的热导率3500 Wm-1K。单层石墨烯的可见光吸收率仅为2.3%。碳纳米管和石墨烯晶格中相邻碳原子间通过键相连, 因此碳纳米管和石墨烯均具有极高的强度和韧性, 单层石墨烯的杨氏模量为1.0 TPa, 拉伸强度为130 GPa。因此, 碳纳米管和石墨烯材料在透明、柔性电子器件中的应用前景广阔, 可能给人们的生活带来革命性变革。 近年来, 国内外许多研究小组开展了碳纳米管和石墨烯晶体管器件的研究, 如美国IBM托马斯·沃森研究中心、斯坦福大学H.Dai小组、伊利诺斯大学J.A.Rogers小组、南加州大学C.Zhou小组、韩国成均馆大学Y.H.Lee小组、北京大学彭练矛小组等。我国科研人员在碳纳米材料制备和器件应用领域也做出了许多具有代表性的工作, 如0.4 nm小直径和半米长碳纳米管的合成、碳纳米管的选择性刻蚀、超顺排碳纳米管的合成及功能器件搭建、碳纳米管太阳能电池、碳纳米管手性分离、大面积石墨烯液相制备、碳纳米材料柔性印刷电子技术和单根碳纳米管CMOS集成电路等。碳纳米管和石墨烯薄膜材料在薄膜晶体管器件的应用领域中, 已展示出高载流子迁移率和优异的环境稳定性等特点, 碳纳米材料将与有机半导体等沟道材料一同推进柔性电子技术的快速发展。本文将着重阐述碳纳米管和石墨烯材料制备、薄膜晶体管器件构建和性能提高等方面的重要研究进展, 讨论碳纳米材料在柔性电子器件应用领域中的关键科学和技术问题, 指出碳纳米材料在柔性电子器件规模化应用中的可能发展路线。 2 漏极、栅极材料和基底材料 薄膜晶体管作为一类场效应晶体管, 由沟道、介电层、电极和基底材料构成, 器件组成材料以薄膜形式制备在基底上。源极、漏极和栅极一般由金属材料构成;介电材料包括不同介电常数的绝缘材料, 如Si O2、Al2O3、Hf O2和聚合物材料等;基底材料包括硬质 (如玻璃和硅片等) 和柔性 (如聚合物塑料) 基底。碳纳米管/石墨烯薄膜晶体管的沟道材料是碳纳米管或石墨烯薄膜, 针对柔性电子器件的特点, 对碳纳米薄膜材料在柔性、透光性和机械拉伸性能方面都有相应的要求。 2.1 碳纳米管的复合离子交换技术 单壁碳纳米管的制备方法包括电弧放电法 (Arc Discharge) 、激光烧蚀法 (Laser Ablation) 和化学气相沉积法 (Chemical vapor deposition) 等。相比于化学气相沉积法, 电弧放电法和激光烧蚀法采用更高的合成温度, 通常可能制备出结晶度更高的碳纳米管。一般来说, 合成的碳纳米管含有无定形碳和金属催化剂等杂质, 需要进行分散、纯化和分离等后处理工艺, 这些工艺会使碳纳米管产生结构缺陷, 包括表面破坏、长度变短、界面