一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.54万字
约 18页
2023-08-19 发布于四川
举报
版权申诉

一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法，包括：根据电荷平衡理论获得待设计的碳化硅浮动结JBS的六种电场分布类型，六种电场分布类型分别为非耗尽非穿通型电场分布、非耗尽穿通型电场分布、表面击穿非穿通型电场分布、表面击穿穿通型电场分布、内部击穿非穿通型电场分布和内部击穿穿通型电场分布；利用六种电场分布类型建立不同电场分布类型对应的反向阻断分析模型；利用反向阻断分析模型获得符合设计要求的碳化硅浮动结JBS的器件最优参数。本发明依据电荷平衡理论建立碳化硅浮动结二极管的反向阻断分析模型，通

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116611384 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310477181.6 (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人西安电子科技大学地址 7100