第三章-费米分布及玻耳兹曼分布.ppt

* 假如再在其中都掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质，那么将出现杂质补偿，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 因此，第一种半导体中的空穴的浓度为1. 1×1010cm-3,费米能级在价带上方0.234eV处；第一种半导体中的空穴的浓度为3.3×103cm-3,费米能级在价带上方0.331eV处。掺入浓度为2.25×1016cm-3的受主杂质后，第一种半导体补偿后将变为p型半导体，第二种半导体补偿后将近似为本征半导体。 * 代入，可得费米能级表示式为： (3.5-14) 将n0的表示式 显然，当NDNA (或者NA=0）时，即当n0 ? ND时， 费米能级为： (3.5-15) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * （4）过渡区 此时，电中性条件变为： 半导体所处温度超过杂质饱和电离的温度区之后，本征激发不可忽略，随温度升高，因本征激发产生的载流子浓度迅速增加，ND-NAni的条件已不成立。如果ND-NA与ni的数值相比拟，称这种情况为处于过渡温度区。 (3.5-16) + + + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 过渡温度区 + + - - - - + - 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 结合方程 解得电子和空穴浓度： (3.5-17) (3.5-18) 将 分别代入上两式均可解得过渡温度区半导体的费米能级为： 和 (3.5-19) 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 3.5 一般情况下的载流子浓度 注: 在NDNA（或者NA=0）的特殊情况下，只要在以上三式中忽略NA，就得到单一掺杂时的载流子浓度以及EF的表达式为： 和 * （5）高温本征激发区 温度继续升高，本征激发更为强烈，使半导体本征载流子浓度远多于杂质电离的载流子浓度，即ni(ND-NA) 时，称为杂质半导体进入了本征激发温度区。此时的电中性条件变为：n0＝p0，半导体与没有掺杂的本征半导体的情况基本系统。 + + + + + + + - - - - - EF EV EA ED EC 高温本征激发区 + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 3.5 一般情况下的载流子浓度 * 对于含有施主杂质的p型半导体,类似的结果如下: （1）极低温度弱电离区： 当 NAND（或者ND=0）时， * 当 NAND（或者ND=0）时， （2） 强电离(饱和电离)区： * （3）过渡温度区： * 当 NAND（或者ND=0）时, * 说明: 在杂质补偿下,半导体的载流子浓度和费米能级与温度的关系与单掺杂的情形相似,只要用有效杂质浓度来代替单掺杂时的浓度即可. 4）高温本征激发区 p型半导体进入到本征激发的温度区与n型半导体进入到本征激发的温度区，同样可以用处理本征半导体的方法来解决。 * 3.6 简并半导体的载流子浓度 * 3.6.1 载流子简并化 非简并半导体 费米能级EF位于离开导带底EC与价带顶EV较远的禁带之中，这样的半导体称为非简并半导体。 如：常温下普通掺杂（杂质浓度小于1018cm-3）的半导体都属非简并半导体。 * 3.6.1 载流子简并化 简并半导体 在某些情况下(如:高掺杂)，费米能级可以接近导带底（或价带顶），甚至会进入导带（或价带）中。导带低附近的量子态基本上已被电子占据(或价带顶附近的量子态基本上已被空穴占据)，此时必须考虑泡利不相容原理的作用，必须用费米分布来描述电子或空穴的统计分布。这种情况称载流子简并化。 如：高掺杂的n型半导体在低温电离区，费米能级随温度的升高出现的极大值可能进入导带。此时导带中量子态被电子占据的几率已很大，玻耳兹曼分布不适用。 * 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 简并半导体能带中，载流子浓度的计算方法与非简并半导体中载流子浓度的计算方法相似，只是表示载流子占据量子态的概率用费米分布函数代替玻耳兹曼分布函数。由此，可得简并半导体的电子浓度为： * 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 令 ， 及 称为费米积分，用F1/2(ξ)表示。 其中积分： 则有： * 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 因此，导带电子浓n0可以写为： * 3.6.2 简并半导体的载流子浓度 同理，可得到简并半导体价带空穴浓度p0为： 简并半导体的少数载流子浓度远远少于多数载流子浓度，一般不加以考虑。 其中： * 3.6.3 简并化条件 （1） 费米能级判据： 用玻耳兹曼分布和费米分布分别计算得到的n0与（EF-Ec）/k0T的关系如右图所示 习惯上定义简