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一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用.pdf

    本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116623297 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310913098.9 C30B 31/06 (2006.01)

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