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1n4148二极管微电流伏安特性的实验研究 1 pn结复合电流的测量 现在，在北京大学的实验中，有必要测量波形pnh特性，并直接测量pnh正伏安特性。第一种方法是物理测试，几乎没有关于半物理的内容。后者通常用于测量玻璃测量等参数。这些实验的测量方法不同，但pnh复合电流的测量和方法没有相关。在这项工作中，我们使用微电流恒流源对硅、pn结的正电流特性进行了测量，并分析了复合电压对波安特性的影响。它还测量了由硅三公组成的等效pn结，并通过比较分析解释了直接用二元测量玻璃测量的原因。 2 pn结正向电流的测量 理想情况下, PN结的正向电流IF指载流子扩散电流, 其数值随正向压降按指数规律变化, 与正向压降VF存在如下近似关系式: 其中, q为电子电荷, k为玻尔兹曼常量, T为绝对温度, IS为反向饱和电流, 它是与PN结材料的禁带宽度及温度有关, 而与电压无关的系数. 半导体物理理论指出, 实际的PN结的正向电流, 除了扩散电流外, 还存在着电子和空穴在耗尽层 (空间电荷区) 复合而形成的复合电流Irg, 可表达为 其中, 其大小与非平衡载流子寿命τ、本征载流子浓度ni和PN结空间电荷区复合宽度δm有关. 另外, 还存在因表面电荷和表面态引起的表面电流, 其值按指数规律变化, 一般m2.对于封装性能良好的高频二极管, 偏置电压较小的情况下, 可以忽略不计.那么, 实际的PN结正向电