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选择性发射极太阳电池结构及性能研究 0 太阳电池的结构和杂区 太阳电池组件建成，拆卸方便，占目前业务市场的大部分。为不断提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本,至今已开发出许多不同的结构和制备技术。背面场(BSF)太阳电池在背面接触引入同型重掺杂区,等效于背面有很低复合速度(sn100 cm/s)的常规结构的太阳电池。低的sn可增强对低能光子的光谱响应,从而增加短路电流密度;而短路电流的增加、背接触处p-n结复合电流的减小及附加势能(q?p)均可有效增加开路电压。 常规BSF单晶Si太阳电池一般采用高掺杂浅扩散pn结制作工艺,各处的结深和表面杂质浓度几乎一致。但是扩散和金属化两道重要工序相互制约,扩散通常要求低掺杂以减少载流子复合,而金属化则要求重掺杂以形成良好的欧姆接触(因此要求达到扩散后表面薄层电阻为40Ω/□左右的重掺杂),使太阳电池的光电转换效率受到了限制。选择性发射极技术通过在电极接触区进行高浓度掺杂,而在光吸收区进行低浓度掺杂,能较好地克服上述问题。 1 结构与模拟的结构设计 1.1 选择性发射极太阳电池 在选择性发射极太阳电池的不同区域,掺杂浓度、表面浓度和扩散结深是不同的。图1给出了常规BSF太阳电池和选择性发射极太阳电池的结构示意图。相对于常规BSF太阳电池,选择性发射极结构可减少光生少子的表面复合、提高光生载流子的收集率、减小扩散死层的影响,从而改善扩散层的