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基于cusn结构的多层芯片重叠键合技术研究 0 d-tsv封装关键工艺技术 硅孔三维压板（3d-tsv）具有高速互联互通性和高密度集成的优点。这是年轻一代压板技术的又一代。众多研究机构如IBM,Intel和Samsung等都开展了相关研究。尽管3D-TSV封装技术具有诸多优势,但目前仍存在一些不利因素制约着该技术的发展。具体包括: 设计软件和设计方法缺失、由于功率密度增加而引发的散热问题、关键工艺与设备问题以及系统测试难题等。其中,3D-TSV封装涉及的关键工艺技术包括: 通孔制备、电镀铜填孔、硅片减薄、多层对准与键合等。这些工艺尚未完全成熟,从而制约了3D封装技术应用。 多层堆叠键合是实现3D封装的关键步骤。为了保证产品具有良好的电学和热学性能,目前3D封装主要采用金属键合方式,其中应用最广泛的是Cu / Cu热压键合。但是普通的Cu / Cu热压键合温度高 ( 350 ~400℃) ,键合压力大,严重影响封装后的器件性能与产品可靠性。而Cu/Sn键合因其较好的机械、热学和电学性能,以及低温键合、高温使用的特点,成为3D封装的首选。本文对此进行了深入研究,并对其应用于多层堆叠键合进行了工艺优化,最终实现了高质量的10层堆叠键合。 1 样品制备和加工 1.1 tsv结构模型 键合样品制备过程如图1所示,主要包括7个工艺步骤: 通孔刻蚀; 绝缘层沉积; TSV填Cu; 硅片减薄;