金属(Al、Cu)诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究的中期报告.docxVIP

金属(Al、Cu)诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究的中期报告 一、研究背景和目的 多晶硅薄膜广泛应用于太阳能电池、LCD透明电极、低温 TFT-LCD等领域。而金属诱导晶化法是低温生长多晶硅薄膜的常用方法之一。本研究旨在以Al、Cu作为诱导晶化材料，通过对其影响多晶硅晶体生长的机制的分析及薄膜的性能测试，探究金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜的优化条件。 二、研究内容 1. 实验材料及方法 使用CVD法制备100nm厚的非晶硅薄膜，经过退火处理，薄膜表面形成铂(Pt)种子层。在600℃下，通过DC磁控溅射法，将Al或Cu置于Pt种子层上，压强维持在5×10-4 Pa。调节沉积时间，得到多晶硅薄膜。分别对不同条件下得到的样品进行XRD及SEM测试分析。 2. 结果分析 实验结果表明，Al与Cu对诱导多晶硅晶体生长均有一定的促进效果，Al对晶体的生长速率加快明显，Cu则会增加多晶硅薄膜的晶界面密度。通过SEM图像发现，使用Al时多晶硅晶体表面形貌呈现菜花状，而Cu则形成球状的晶体。 3. 展望 通过分析得出，Al与Cu均能在一定程度上提高多晶硅的晶体生长，且在不同的条件下表现出不同的性能。进一步研究将探索更佳的诱导晶化条件，并结合多晶硅薄膜的性质，寻求最优的制备工艺。