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- 2023-08-29 发布于四川
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本实用新型涉及光电传感技术领域，为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题，提供一种嵌入式光栅结构窄带近红外热电子光电探测器，包含硅基底和金光栅；金光栅和硅基底之间有一层钛薄膜层作为粘附层；金光栅连接到顶部导电电极；硅背面设有底部导电电极；通过将金光栅嵌入在硅基底中的方式进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率，减少了热电子的热化损失，增加了光栅侧面的肖特基界面而提高了热电子转移到硅中的收集效率，进而提升了光电探测器的响应度；调节金光栅周期可改变探测器的响应波长，实现了波长可调的近红外光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210245520 U
(45)授权公告日
2020.04.03
(21)申请号 20192
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