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利用su-8胶制备高性能宽比三维电极 1 电极结构表面积的计算 随着信息技术的进步，系统规模和微件化已成为必然趋势。MEMS系统的功能越来越强,体积越来越小,对供能的要求也越来越高,传统的电源和电池因体积和效率等方面原因已不适应MEMS系统的需要,供能技术成为MEMS发展的瓶颈,亟待研制新型MEMS供能器件。微型超级电容器因具有充放电效率高、速度快,使用寿命长,功率密度高,使用温度范围宽等优点而成为研究热点。 超级电容器的贮存电荷能力主要取决于电极上搭载的活性物质和电极表面积的多少。目前报道的超级电容器的研究大多是关于电极材料方面,对于制备三维电极结构的研究较少,有人研究了用喷墨打印制备碳电极微型超级电容器的方法,制备出长度为400μm,宽40μm,但高度不足2μm的电极,电极结构深宽比很小,电极表面积较小。而当电极结构从二维转换成三维结构时,在相同底面积上可获得与其深宽比相关的表面积增大倍数,因而能有效增大电极结构表面积,使其能搭载更多的电极活性物质,从而具有更强的电荷贮存能力,在相同的底面积上存贮更多的电荷。 在二维平面的基础上制作三维结构,则其表面积将会有较大的增加。假设平面的长为L,宽为W,H为圆柱形结构高度,D为圆柱直径,两个结构之间的距离为M,如图1所示。 B1表示同底面积上圆柱形三维立体结构增大的表面积的倍数,S2D、S3D分别代表二维结构和三维结构表面积,则有: B1=S3D/S2D={L×W+π×D×H×[L/(D+M)]×[W/(D+M)]}/(L×W)=L×W+π×D×HLD+M×WD+ML×W=1+π×D×H(D+M)2(1)B1=S3D/S2D={L×W+π×D×Η×[L/(D+Μ)]×[W/(D+Μ)]}/(L×W)=L×W+π×D×ΗLD+Μ×WD+ΜL×W=1+π×D×Η(D+Μ)2(1) 设结构深宽比为HD=aΗD=a,当圆柱的间距与圆柱的直径相等,即M=D时,(1)式可化为B1=1+0.785a,若深宽比a=10,则B1=8.85,即表面积可增大8.85倍。在具有相同体积的三维结构中,除球体外,圆柱体的表面积是最小的,其表面积可获得与深宽比a相关的面积增大倍数。若将三维结构制作成其它形状,如条形、梳齿形等,则在相同底面积上能获得更大的表面积增大倍数。 本文针对当前微电极结构表面积较小,单位底面积上储能密度有限等情况,从增大电极结构表面积,提高电极活性物质搭载量的角度出发,提出利用SU-8胶将电极结构制作成三维立体形状,使相同底面积上电极结构具有更大表面积。研究了基于UV-LIGA技术的SU-8胶三维电极微结构的制备工艺,制备出三维微结构,并对制备过程中的相关因素进行了分析。 2 微结构加工与制备实验 2.1 uv-liga技术 LIGA技术是MEMS 3种主要加工技术之一,由W.Ehrfeld等于20世纪80年代在德国卡斯鲁尔原子核研究中心开发成功。它能够在多种材料上加工出高深宽比三维立体结构,其深宽比高达500∶1,可获得较精细的结构,且侧壁陡峭,表面平整,还可以大批量加工等。由于LIGA技术需要昂贵的同步辐射光源,且掩模版难制,所以近年发展起来了一种以常规近紫外光源为曝光光源的准LIGA技术,亦称UV-LIGA技术。UV-LIGA技术具有LIGA技术制作高深比结构的优点,且使用价格低廉的近紫外光源,故其使用越来越广泛。 SU-8光刻胶是1989年IBM公司发明的一种高粘度、环氧基、近紫外化学放大负型胶。它由一种具有多官能团的、高度分支的聚合物环氧树脂和少量光引发剂溶入有机溶剂构成。环氧树脂由双酚A酚醛甘油醚组成,一般含有8个环氧团,其结构式如图2所示。 SU-8胶曝光时,光引发剂发生光化学反应生成一种强酸,该强酸在后烘时作为催化剂,使SU-8胶产生交联。交联后的SU-8胶不溶于有机显影液,而未经曝光的、未发生交联的光刻胶则会被显影液溶化随显影液流走。 SU-8胶在近紫外光范围内光吸收度低,整个光刻胶层所获得的曝光剂量均匀一致,可制得陡直侧壁、高深宽比和高分辨率的厚膜图形;它在曝光后形成立体交联结构,拥有非常高的机械强度和良好的抗化学腐蚀性和热稳定性。因具有上述特性,SU-8胶已广泛应用于MEMS、芯片封装和微加工等领域,在电极制造方面可利用这种机械和化学特性优良的物质来制备电极骨架。 2.2 kw-4g型管式降压机、dzf-20型干燥箱 MA6/BA6型光刻机(23mW/cm2,德国SUSS),KW-4A型台式甩胶机(凯美特),DZF-6020型干燥箱(重庆四达公司);SU-8光刻胶、显影剂(南京百思优科技有限公司)。 2.3 不同胶的下烘和发展 加工流程如图3所示,具体加工过程和有关工艺参数如下:(1) 基片准备和清洗:单面N(100)抛光片,标准清洗; (2) 涂胶和前烘:旋涂SU