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一种六方氮化硼纳米孔图形化衬底及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-02 发布于四川
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一种六方氮化硼纳米孔图形化衬底及制备方法.pdf

    本发明公开了一种六方氮化硼纳米孔图形化衬底及制备方法，将酸清洗后的蓝宝石衬底，在氮气与氩气的混合气氛围下升温至1300‑1400℃；然后在氮气氛围下退火，对蓝宝石衬底实现表面氮化；采用低压化学气相沉积法，通过调控压强、前驱体供给速率和外延模式，在表面氮化后的蓝宝石衬底上制备纳米孔图形化的氮化硼薄膜，形成六方氮化硼纳米孔图形化衬底。本发明实现了通过LPCVD法在蓝宝石衬底上外延生长大面积连续的纳米孔图形化hBN薄膜，避免了膜剥离与转移流程，极大开拓了hBN薄膜在介电衬底领域的应用，且该图形化衬底在

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116682899 A (43)申请公布日 2023.09.01 (21)申请号 202310691027.9 (22)申请日 2023.06.12 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049

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