《红外物理与技术》第7章 红外热成像技术.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 7.4.1 红外探测器的发展与分类 Seebeck发现了热电效应并研制出第一支温差电偶 将热电偶连成一串的第一个热电堆被研制成功 Mellpni利用金属铋和锑设计了热电偶 Langley利用金属铂制成两个薄板条，并将二者连结在 一起形成惠斯顿电桥的两个臂，制成了热辐射计 进入20世纪，红外热探测器的研发日新月异 Golya发明了气动式红外探测器 50年代 用半导体替代金属得到灵敏度更高的温差红外探 测器 60年代 利用铁电体的自发极化与温度关系研发成功热释电 型红外探测器 90年代 研制成热释电和热辐射计红外焦平面探测器阵列器 件 红外探测器的分类 工作温度：低温、中温、室温探测器 结构和用途：单元、多元阵列和成像探测器 是否制冷：制冷型（主要是光子红外探测器） 非制冷型（热红外探测器） 探测器制作材料 响应波长：近红外、中红外、远红外探测器 等等 7.4.2 热红外探测器 焦平面阵列上每个像素有一个连接底衬的敏感区，当场景的红外辐射照到某个探测像素时，该敏感区就会因吸收热辐射而产生温度升高，其热量就会从该敏感区向四周扩散。. 度量入 射辐射 强弱 体积膨胀 电阻改变 有温差电动势 自发电极化 温度升高 常见热探测器：电阻测辐射热计、热电探测器、铁电测辐射热计（场增强热电探测器）和辐射热电偶 设计原理： 响应元 红外辐射 1）电阻测辐射热计：敏感区吸收辐射后温度增加，引起电阻值变化 探测器响应率k为输出信号与输入辐射能量之比 其中 是探测像素的偏置电流，G 是热传导， 为角频率， 为热响应时间， 是入射光的吸收率，C是热容， 是热辐射调制红外光功率的幅度。 2）热电探测器和铁电测辐射热计 热电效应：一些铁电晶体可以显示出自发的电极化性质，即显示相反性 质的电荷。 铁电辐射效应：不外加电压就发生热电效应，外加了电压，存在电场 时，热电材料显示出极化特性并且延伸到超出正常居 里温度以上的区域的情况。 热电信号电压： 其中损失电阻为R， 热电探测器响应率 3）热电偶探测器或温差电探测器 不同材料的接点在温度不同时会产生温差电动势 热信号电压： 热电响应率：其中 是热电系数 7.4.3 光子红外探测器 工作模式不同 红外辐射激发电子跃迁不同 工作原理：由于光电效应是满足一定能量的光子直接激发光敏材料的束缚电子，使之成为导电电子，所以，光敏材料的禁止带宽或杂质能级影响其响应波长，换句话说，光敏材料对波长的响应是有选择性的。 1）光电子发射探测器 2）光电导探测器 3）光伏红外探测器 4）光磁电红外探测器 1）本征红外探测器 2）非本征型红外探测器 3）自由载流子型探测器 4）量子阱红外探测器 5）量子点探测器 工作流程：响应元内的电子直接吸收红外辐射的光子能量而发生运动状态的改变所导致的电导改变或电动势产生等，度量入射辐射的强弱 光子红外 探测器 工作模式不同 1）光电子发射探测器 2）光电导（光敏）探测器 3）光伏红外探测器 光伏效应：指在光照射下，半导体内部产生的电子—空穴对，在静电场作用下发生分离，产生电动势的现象。 4）光磁电红外探测器 光电磁效应：半导体表面吸收光子后，在表面产生的电子—空穴对，要向体内扩散。扩散过程中，如果受到强磁场的作用，电子和空穴各偏向一侧，就会产生电位差，这种现象叫做光电磁效应。 外辐射激发电子跃迁的不同 1）本征红外探测器：利用本征光吸收制成的探测器。 2）非本征型红外探测器：利用非本征光吸收制成的探测器。掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可吸收光子跃迁到导带，中性受主的空穴也可吸收光子跃迁到价带，这种吸收被称之为非本征吸收。 非本征与本征红外探测器的主要区别是前者的吸收系数低，仅1 ~10 ，而后者约有103 ~104 。非本征器件要想得到与本征器件相同的性能，要求有更低的工作温度。 3）自由载流子型探测器：该类探测器在吸收光子后并不引起载流子数目变化，而是引起载流子迁