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产品不良报告格式
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不良通知及纠正/预防措施报告
D0相关讯息:
供应商或客户名称:
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失效数量/失效比率:
D1异常处理成员
团队组长:
团队成员:
D2异常现象
2.1客户反馈我司于2011年1月份提供的MUR460*10K材料,产品使用在开关电源中,电源频率为100KHz,之前使用情况很稳定,近期的一批产品过去后,损坏较多,达到1%的的比例值。
2。2就此不良现象的发生,客户要我求司分析产生原因并改善。
D3立刻处理方案
3.1 对库存材料及产线在制品进行抽样检查常规电性,无异常。
D4根本原因
4.1 收到客户发回的不良材料首先外观检查:弯角成型使用,部分材料引线发黑。
外观图片
4.2对客户退回的不良材料进行电性参数测试确认:(测试仪器型号为HTVS-800数显测试仪)
4.2。1材料均反向击穿,正向电性正常。
具体的测试条件及测试数据如下:
编号
VF1。3V @
IF=3.0A
VR〉600V @ I1=0.005mA
IR〈5uA @
VR=600V
1
1.095
0
∞
2
1.124
0
∞
3
1。044
0
∞
4
1.130
0
∞
5
1。073
0
∞
6
1。029
0
∞
7
1.102
0
∞
8
1。094
0
∞
9
1.077
0
∞
10
1。069
0
∞
11
1.058
0
∞
12
1.128
0
∞
13
1。026
0
∞
14
1.090
0
∞
15
1。048
0
∞
16
1.054
0
∞
17
1.107
0
∞
18
1。071
0
∞
19
1。044
0
∞
20
1。041
0
∞
21
1。056
0
∞
22
1。080
0
∞
23
1.109
0
∞
24
1.038
0
∞
4.3将不良品采用化学方法进行解剖处理:
4。3.1去除塑封料后,解剖至半成品观察,部分芯片侧面有开裂痕迹,其他材料无明显异常。
半成品结构完整
侧面有裂纹
其他芯片侧面无明显异常
4.3.3继续解剖至芯片,置于显微镜下观察:发现芯片均有不同程度的破碎,但芯片的表面并未发现有热击穿的痕迹。
4。4 产生不良原因分析:
4。4.1 内部制程检查:该款材料在供货使用方面,一直比较稳定。一般来说,我司对已经批量供货的产品,是不会随便进行更改的,避免引起客户使用配合性上的波动。生产方面,我司也进行了追溯,物料及生产工艺确未做过任何更改,制程中检验也并未发现该款材料异常。
4.42 对于库存的材料进行常规电性测试及可靠性检测,均为良好并无异常.
4.4。3我司对客户退回的不良品也进行了解剖分析,发现芯片的焊接制程良好,但进一步解剖至芯片发现,内部芯片均已破碎,但碎裂的边缘整齐,并未发现有热击穿的痕迹.因此,我司分析该情况应是由于机械应力作用而导致的芯片受损。
4。4。4 从二极管的生产工艺来看,二极管在焊接、封装等制程中基本不会受到较大的机械应力,焊接过程中芯片受到的损伤也基本是由于碰撞受到的边缘损伤。加上对我司制程的追溯,并没有发现该款材料生产上的异常。
4。5 综合以上信息,我司分析,造成芯片内部受损的环节,最有可能是在材料的整形环节.因3A的引线较粗,在引脚剪断折弯的过程中,比较容易受到应力的作用,导致内部受损。
D5矫正措施
5。1 业务负责与客户端沟通:
5.1。1 请客户确认是否在材料的整形环节出现波动,导致芯片受损,从而导致不良率上升。
5。1。2 客户端未使用的材料,可退回我司,我司做进一步检测,
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