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vlsi技术在c图像识别中的应用 1 有机晶圆图像传感器 c图像传感器的研究始于20世纪60年代末，由于技术的限制，其开发和应用有限。直到20世纪90年代初,随着大规模集成电路设计技术和信号处理技术的提高,CMOS图像传感器才日益受到重视[1~3],成为固体图像传感器的研发热点。近几年来,随着集成电路设计技术和工艺水平的长足进步,CMOS图像传感器的一些性能指标已接近甚至超过CCD图像传感器[4~6]。 本文简要介绍了CMOS图像传感器的结构及工作原理,详细比较了CMOS图像传感器与CCD的性能特点,讨论了CMOS图像传感器的关键技术问题,并给出了相应的解决途径,综述了CMOS图像传感器的国内外研究现状,最后对CMOS图像传感器的发展趋势进行了展望。 2 行选通逻辑单元 CMOS图像传感器的总体结构如图1所示[7~9],一般由像素阵列、行选通逻辑、列选通逻辑、定时和控制电路、在片模拟信号处理器(ASP)构成,高级的CMOS图像传感器还集成有在片模数转换器(ADC)。 行选通逻辑和列选通逻辑可以是移位寄存器,也可以是译码器,其中的行选通逻辑单元可以对像素阵列逐行扫描也可隔行扫描。行选通逻辑单元与列选通逻辑单元配合使用可以实现图像的窗口提取功能。定时和控制电路限制信号读出模式、设定积分时间、控制数据输出率等。在片模拟信号处理器是完成相关双取样、信号积分、放大、取样/保持、双Δ取样等功能,对信号进行放大处理,提高信噪比(SNR)。在片模数转换器是数字成像系统所必需的,CMOS图像传感器可以是整个成像阵列有一个ADC或几个ADC(每种颜色一个),也可以是成像阵列每列各一个。 外界光照射像素阵列,发生光电效应,在像素单元内产生相应的电荷。行选通逻辑单元根据需要,选通相应的行像素单元。行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及ADC,转换成数字图像信号输出。与CCD相比,这种结构提供了随机进入像元、以非常高的帧速率直接开窗口的能力,同时避免了CCD中大量电荷转移很长距离的情况。 3 图像传感器与cd的性能的比较 3.1 像素的面积不同 灵敏度代表图像传感器的光敏单元收集光子产生电荷信号的能力。CCD的感光信号以行为单位传输,电路占据像素的面积比较小,这样像素点对光的感受就高些;而CMOS图像传感器的每个像素由多个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路),使得每个像素的感光区域只占据像素本身很小的面积,像素点对光的感受就低。因此,在像素尺寸相同的情况下,CCD图像传感器的灵敏度要高于CMOS图像传感器。 3.2 传感器的尺寸与尺寸 CMOS图像传感器上集成有放大器、定时器和ADC等电路,每个像素都比CCD复杂,因而电路所占像素的面积也大,所以相同尺寸的传感器,CCD可以做得更密。通常CCD图像传感器的分辨率会优于CMOS图像传感器。 3.3 噪声带宽:cd、按照视频频率的选择适用 CCD与CMOS图像传感器在结构上的不同,使得它们的读出噪声有很大的差别。CCD中的噪声主要是在最高带宽产生的,而CMOS图像传感器由于采用的是列并行结构,因此噪声带宽是由行读出带宽决定的。CCD中噪声随视频频率的增加而增加,而CMOS图像传感器的噪声与视频频率无关。由于CMOS图像传感器每个像元都需搭配一个放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的放大器。而放大器属于模拟电路,很难让每个放大器所得到的结果保持一致。因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD图像传感器相比,CMOS图像传感器的噪声就会增加很多,这将会影响到图像品质。 3.4 图像传感器在有光照和暗环境下的均匀性 理想状态下各个像元在均匀光照的条件下的输出应当是相同的,但是由于硅圆片工艺的微小变化、硅片及工艺加工引入缺陷、放大器变化等导致图像传感器光响应不均匀。响应均匀性包括有光照和无光照(暗环境)两种环境条件。CMOS图像传感器由于每个像元中均有开环放大器,器件加工工艺的微小变化导致放大器的偏置及增益产生可观的差异,且随着像元尺寸进一步缩小,差异将进一步扩大,这使得在有光照和暗环境两种条件下CMOS图像传感器的响应均匀性较CCD有较大差距。尽管如此,可以采用反馈放大器等技术改进CMOS图像传感器在有光照条件下的均匀性,使之接近CCD的水平。另一方面,尽管CMOS图像传感器研制者投入大量的努力降低暗环境下器件响应的非均匀性,但是现在它仍然无法达到CCD的水平。这个参数在高速应用中尤为重要,因为在高速应用中由于信号弱,暗环境条件下的非均匀性将显著降低图像质量。 3.5 局部图像传输:局部像素视频监控系统,原理一般应做多数 由于CCD采用串行连续扫描的工作方式,必须一次性读出整行或整列的像素数据。而CMOS图像传感器由于采用单点信号传输,通过简单的