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电力电子晶闸管的bodvpv保护 1 采用晶闸管技术的经济性 随着能源电子技术的发展，尤其是电力电子技术的发展，半控制器（如结晶门）逐渐被除统制器（如gto、igdt、mosfi）等所取代，并朝着规模和智能发展。但现阶段,在高电压、大电流应用领域中,如HVDC、高压SVC等,晶闸管仍然占有一席之地。尤其是采用晶闸管技术的电力电子设备还没有真正退出历史舞台之前,如何使这些设备继续稳定可靠运行,仍具有很大的经济效益。在应用中,由于电力电子器件其固有的脆弱性,单靠增加器件的设计裕度来增加整个设备的可靠性是一种不经济亦无必要的措施。一般做法是采用各种保护措施来充分利用器件的容量。BOD(Break Over Diode)作为晶闸管的过电压保护器件,由于其快速性,只要保护电路设计参数选择合理,就能对晶闸管进行元件级可靠保护,特别是在晶闸管的串联应用中。 2 bod的物理结构和性能 2.1 剖面结构及要点 BOD的英文名称为击穿二极管,其实它是一种具有四层结构的晶闸管,其剖面结构示意图见图1。BOD被击穿而完全导通,整个过程大约3～5μs。由于在阴极采用了p+扩散的短路发射极结构,因而获得很高的dv/dt。但由于其非对称结构,反向耐压低,一般低于10V。 2.2 bod属性 (1) 压达到上bo时 BOD的伏安特性如图2所示,阳极和阴极所加电压达到UBO时,BOD被击穿而导通,典型转折电流IBO为1～5mA,当流过BOD的电流低于维持电流IH(典型50mA)时,BOD恢复关断。 (2) bod的保护 由于BOD与被保护的晶闸管同属于硅材料半导体器件,它们的最大的雪崩击穿电场强度Emax～2×105v/cm,转折电压有相同的温度特性: UBΟ(ΤJ)=UBΟ(ΤΟ)//1+ΚΤ(ΤJ-ΤΟ)//(1)UBO(TJ)=UBO(TO)//1+KT(TJ?TO)//(1) 式中,TO——参考温度(如TO=25℃]; TJ——运行结温; KT——温度系数(KT=10-3K-1]; 因此,BOD能在很大的温度范围内对晶闸管进行保护。一般而言,BOD在最大环境温度TA下的转折电压等于或低于晶闸管的额定电压,即: UBΟ(ΤA)≤UDRΜ(2)UBO(TA)≤UDRM(2) 此时的转折电流IBO也应与晶闸管的门极门槛电流相对应,转折电流的温度特性: ΙBΟ(ΤJ)=ΙBΟ(ΤΟ)*exp//-α(ΤJ-ΤΟ)//(3)IBO(TJ)=IBO(TO)*exp//?α(TJ?TO)//(3) 式中,α为温度系数,α=0.01K-1。 (3) 热阻和诉讼 在大多数应用情况下,BOD提供十分短暂的脉冲电流,脉宽大约1～5μs,最终结温TJ可以通过功率损耗、热阻和绝热计算得到,后者在窄脉冲及高频开关情况下非常重要。由绝热引起的温升近似为: ΔΤJ=EΡVs?Cs?ρs=727?Ep(4)ΔTJ=EPVs?Cs?ρs=727?Ep(4) 式中,Vs——硅片有效体积; Cs——硅片比热; ρs——硅片比重;Ep——脉冲能量; (4) 关断时间的确定 由于BOD属于晶闸管,它也存在关断时间,为了适应频率高达25KHZ的应用,它已被设计成为一种快速关断装置,典型的关断时间 tq=20μs(ΙΤΜ=100A,tp=20μs,dv/dt=1500v/μs,ΤJ=125℃)。 (5) dt的原理 BOD的耐dv/dt的能力在多数情况下必须超过其保护晶闸管的dv/dt,这样可以通过短路发射极结构实现,而且它是晶闸管的外部保护元件,它运行在更低的环境温度,典型TA=40～70℃,有利于系统的dv/dt能力的提高。目前达到以6000v/μs上升到0.67UBO的水平。 3 典型应用电路和参数的选择 3.1 稳压管d4可选 图3为采用BOD的晶闸管过电压保护典型应用电路。BOD通过串联一个限流电阻R2及防止BOD承受反向过电压的二极管D2连接于被保护晶闸管的阳极和阴极之间。低通滤波支路R1,C1阻止由于正向dv/dtBOD产生的偏移电流,防止寄生触发,在BOD击穿时,它还起到延缓晶闸管门极电流作用时间,减少晶闸管的开通损耗。R1与C1的推荐值分别为100～1000Ω,22～100nF。稳压管D4(可选)防止低电压干扰信号使晶闸管误触发。D3所在支路为晶闸管正常工作时的触发电路。与缓冲电路的时间常数RSCS相比,如果电压上升速率dv/dt低,电容CS上已充电至击穿电压UBO,这时击穿导通电流峰值: ΙΤΜ=UBΟ/(RS+R2)(5) 如果dv/dt高,则晶闸管的结电容充电至UBO,此时, ΙΤΜ=UBΟ/R2(6) 3.2 bod导通电流的计算 由以上BOD的特性及应用电路分析,可总结参数选择的一般步骤如下: ①由(2)式初步确定UBO的大小; ②根据晶闸管的门极触发特性确定BOD的