光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性.docxVIP

光敏传感器的光电特性研究 心型光敏传感器光电斛实验仪） 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量，如光强.光照皮等：也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如寥件直径、表面^糙度、位移.速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快.性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的，则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴，本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻.光敏二极管的光电传感特性及在菜些领域中的应用。 【实验原理】光电效应： （1）光电导效应： 当光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。杂质型光电导的长波隙比本征型光电导的要长的多。 （2）光生伏特效应： 在无光照口寸，半导体PN结内部有自建电场。当光照射在PN结及其附近口寸，在能董足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E的作用，电子漂移到N区，空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势，此电动妙称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。 光敏传感器的基本特性： 光敏传感器的基本特性则包括：伏安特性、光照特性等。 伏安特性：光敏传感器在一定的入射光照度下，光敏元件的电流I与所加电压U之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 掌握光敏传感器基本特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。本实验主要是研究光敏电阻、光敏二极管的基本特性。 (1)光敏电阻： 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目询光敏电阻应用的极为广泛，其工作过程为，当光敏电阻受到光照时，发生内光电效应，光敏电阻电导率的改变董为： △o=Ap?e?Pp+An?c?应 在(1)式中，c为电子电荷量，Ap为空穴浓度的改变量，心为电子浓度的改变量，□表(1)示迁移率。当两端加上电压。后，光电流为： 式中A为与电流垂直的表面积，d为电极间的间距。在一定的光照度下，为恒定的值，因而光电流和电压WOLn集鬼度:不同lULx成线性关系。光敏电阻的伏安特性如图5a所示，不同的光强以得到不同T「,h的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。光照厦不变的情况下，电压越离.光电流也越大，而且没有饱和现象。当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的灵商额定值。 WOLn 集鬼度:不同lULx ⑵光敏二极管： “S1O1520uo(V)圈5a光敏电阻的伏安特性曲线 光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，如图7。所示。零偏压口寸，光敏二极管有光电流输出。光敏二极管的光照特性亦呈良好线性，如图7c。光敏二极管的的电流灵敏度一般为常数。一般在作线性检测元件时，选择光敏二极管。Iph(mA)1.0?0.82000LxISOOLx0.4IOOOLM匕5°°Lx0~0J0.2 光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，如图7。所示。零偏压口寸，光敏二极管有光电流输出。光敏二极管的光照特性亦呈良好线性，如图7c。光敏二极管的的电流灵敏度一般为常数。一般在作线性检测元件时，选择光敏二极管。 Iph(mA)1.0?0.82000LxISOOLx0.4IOOOLM匕5°°Lx0~0J0.20304MUR]W nU1UUUtuuu 实盛（一极管光敏电阻的伏安特祖测费性曲线 【实验目的】 1.了解内光效应。2?通过实验掌握光敏电阻工作原理。3.了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线曲线。【实验仪器】 FB815型光敏传感器光电特性设计性实验仪，万用电表一只，导线若干。