用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场讲义.docxVIP

用霍尔法测直流圆线圈与亥姆 (FB511型霍尔法亥霍姆兹线磁圈场验实仪) 实 验 讲 义 浙江大学物理实验教课中心 用霍尔法测直流圆线圈与亥姆霍兹线圈磁场 在工业、国防、科研中都需要对磁场进行丈量，丈量磁场的方法有许多，如冲击电流计 法、霍尔效应法、核磁共振法、天平法、电磁感觉法等等，本实验介绍霍尔效应法测磁场的 方法，它拥有丈量原理简单，丈量方法简易及测试敏捷度较高等长处。 【实验目的】 1．认识用霍尔效应法丈量磁场的原理，掌握FB511型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪的 使用方法。 2．认识载流圆线圈的径向磁场散布状况。 3．丈量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场散布。 4．两平行线圈的间距改变成dR/2和d2R时,测定其轴线上的磁场散布。 【实验原理】 1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场 一半径为R，通以直流电流I的圆线圈，其轴线上离圆线圈中心距离为 X米处的磁感觉 强度的表达式为: B 0?N 0?I?R2 （1） 2?(R2 X2)3/2 式中N0为圆线圈的匝数，X为轴上某一点到圆心 O的距离，04 107H/m,磁 场的散布图如图 1所示，是一条单峰的对于 Y 轴对称的曲线。 本实验取N0 400匝,I0.400A, R 0.100m,在圆心O 处X 0，可算得磁感 应强度为：B 1.0053103T （2）亥姆霍兹线圈 I，线圈间距等于线圈半径 两个完整同样的圆线圈相互平行且共轴，通以同方向电流R 时，从磁感觉强度散布曲线能够看出，（理论计算也能够证明）：两线圈合磁场在中心轴线上 （两线圈圆心连线）邻近较大范围内是均匀的，这样的一对线圈称为亥姆霍兹线圈，如图 所示。从散布曲线能够看出，在两线圈中心连线一段，出现一个平台，这说明该处是匀强磁 场，这类匀强磁场在科学实验中应用十分宽泛。比方，大家熟习的显像管中的行偏转线圈和 场偏转线圈就是依据实质状况经过适合变形的亥姆霍兹线圈。 2．利用霍尔效应测磁场的原理 霍尔元件的作用如图3所示.若电流I流过厚度为d的矩形半导体薄片，且磁场  2 B垂直 作用于该半导体  ,因为洛伦兹力作用电 流方向会发生改变，这一现象称为霍尔效 应，在薄片两个横向面a、b之间产生的 电势差称为霍尔电势。该电势同时垂直于 电流I及磁场B方向。 霍尔电势差是这样产生的：当电流IH 经过霍尔元件（假定为P型）时，空穴有 必定的漂移速度v，垂直磁场对运动 图3 电荷产生一个洛仑兹力 ： FBq?(v B) （2） 式中q为电子电荷，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转， 因为样品有界限，因此偏转的载流子 将在界限累积起来，产生一个横向电场 E，直到电场对载流子的作使劲FE q?E与磁场作 用的洛仑兹力相抵消为止，即 q?(vB)q?E （3） 这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场成立起来的。 假如是N型样品，则横向电场与前者相反，因此 N型样品和P型样品的霍尔电势差有 不一样的符号，据此能够判断霍尔元件的导电种类。 设P型样品的载流子浓度为 p，宽度为 ，厚度为d，经过样品的电流： IHp?q?v??d，则空穴的速度： v IH/(p?q??d)代入（3）式有 E vB IH?B （4） p?q??d 上式两边各乘以，便获得 UHE? IH?B RH?IH?B （5） p?q?d d 此中RH 1 称为霍尔系数，在应用中一般写成： p?q UH KH?IH?B （6） 比率系数KHRHd1(p?q?d) 称为霍尔元件的敏捷度，单位为 mV/(mA?T)。一 般要求KH愈大愈好。KH与载流子浓度 p成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流子浓 度小，因此都用半导体资料作为霍尔元件， KH与资料片厚d成反比，为了增大KH值，霍 尔元件都做得很薄，一般只有0.2mm厚。由式（5）能够看出，知道了霍尔片的敏捷度KH，只需分别测出霍尔电流IH及霍尔电势差UH就能够算出磁场B的大小，这就是霍尔效应测 量磁场的原理。 【实验仪器】 FB511型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪1台，测试架1台。 【实验内容】 1．丈量载流圆线圈轴线上磁场的散布： 按载流圆线圈的要求，把FB511型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪与测试架正确连结（因为每只集成霍尔传感器的参数不行能完整同样，因此每套仪器的集成霍尔传感器探头与 微特斯拉计是编号的，出厂时已配对换好切不行交换，不然会造成磁场丈量结果不正确）。 集成霍尔传感器探头固定在测试架挪动平台上。出厂时霍尔片平面已调到与线圈轴线垂直, 调理 FB511 I0.000A ,在线 型霍尔法亥姆霍兹线圈磁场实验仪的电流调理，使励磁电流 圈磁场强度等于零的条件下，把微特斯拉计调零（目的是除去地磁场和其余环境杂散扰乱磁 场以及不均衡电势的影响），这样微特斯拉计就