CN111793805A一种氧化铟及其前驱体的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-15 发布于云南
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CN111793805A一种氧化铟及其前驱体的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111793805 A (43)申请公布日 2020.10.20 (21)申请号 202010492673.9 (22)申请日 2020.06.03 (71)申请人 先导薄膜材料有限公司 地址 230012 安徽省合肥市新站区龙子湖 路与通淮南路交口西北角 (72)发明人 岳修岩 凤吾生 何坤鹏 朱刘  (51)Int.Cl. C25B 3/12 (2006.01) C25B 15/08 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 (54)发明名称 一种氧化铟及其前驱体的制备方法 (57)摘要

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