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金属表面等离激元增强ZnMgO薄膜及ZnOZnMgO单量子阱发光的中期报告 本研究旨在研究金属表面等离激元（SP）对ZnMgO薄膜和ZnOZnMgO单量子阱（MQW）发光性能的增强作用。 实验采用射频磁控溅射法制备ZnMgO薄膜和ZnOZnMgO MQW，利用紫外可见吸收光谱（UV-Vis）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）等表征手段对材料进行表征。并利用荧光光谱仪测量了材料的发光性能。 结果表明，SP对ZnMgO薄膜和ZnOZnMgO MQW的发光强度和光稳定性均有明显的增强作用。对于ZnMgO薄膜，SP的增强效果主要来自于表面电场的增强导致激子的形成和辐射强度的提高。对于ZnOZnMgO MQW，SP的增强效果主要来自于SP的耦合效应导致电子-空穴复合的增加和辐射强度的提高。此外，SP还可以防止材料的光降解现象，提高其光稳定性。 综上，本研究为开发具有高性能和稳定性的ZnMgO和ZnOZnMgO发光器件提供了技术路线和理论基础。未来的研究方向将集中在进一步优化SP的耦合效应和探究其发光机制。