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几种培养单晶的办法和大家同享之邯郸勺丸创作
时间:二O二一年七月二十九日单晶培养的办法一、挥发法
原理:依靠溶液的不竭挥发,使溶液由不饱和达到饱和过饱和状态.
条件:固体能溶解于较易挥发的有机溶剂
一般丙酮、甲醇、乙醇、乙腈、乙酸乙酯、三氯甲烷、苯、甲苯、四氢吠喃、水等.
理论上,所有溶剂都可以,但一般选择沸点在
60?120C.
注意:不合溶剂可能培养出的单晶结构不合
二、扩散法原理:利用二种完全互溶的沸点相差较大的有机溶剂固体易溶于高沸点的溶剂,难溶或不溶于低沸点溶剂.在密封容器中,使低沸点溶剂挥发进入高沸点溶剂中,降低固体的溶解度,从而析出晶核,生长成单晶.
一般选难挥发的溶剂,如DMF,DMSO,m油甚至离子液体等.
条件:固体在难挥发的溶剂中溶解度较大或者很大,在易挥发溶剂中不溶或难溶.
三、温差法原理:利用固体在某一有机溶剂中的溶解度,随温度的变更,有很大的变更,使其在低温下达到饱和或接
近饱和,然后缓慢冷却,析出晶核,生长成单晶.
一般,水,DMF,DMSO,尤其是离子液体适用此办法.
条件:溶解度随温度变更比较大.
经验:低温中溶解度越大越好,完全溶解.
推广:建议大家考虑使用离子液体做溶剂,尤其是对多核或者难溶性的配合物.
四、接触法原理:如果配合物极易由二种或二种以上的物种合成选择性高且所形成的配合物很难找到溶剂溶解,则可使原料缓慢接触,在接触处形成晶核,再长大形成单晶.
一般无机合成,快反响使用此办法.
办法:1.用u形管,可采取琼脂降低离子扩散速度.
用直管,可做成两头粗中间细.
用缓慢滴加法或稀释溶液法(对反响不很快的体系可采取)
缓慢升温度(对温度有要求的体系适用)
经验:原料的浓度尽可能的降低,可以人为的设定浓度或比例.0.1g?0.5g的溶质量即可.
五、高压釜法原理:利用水热或溶剂热,在低温高压下,是体系经过一个析出晶核,生长成单晶的过程,因低温高压条件下,可产生许多不成预料的反响.
办法:将原料按组合比例放入高压釜中,选择好溶剂,利用溶剂的沸点选择体系的温度,高压釜密封好后放入烘箱中,调好温度,反响1?4小时均可?然后,封闭烘箱,冷至室温,打开反响釜,不雅察情况按如下过程处理:1.没有反响——重新组合比例,调节条件,包含换溶剂,调pH值,加入新组分等.
反响但全是粉末,且粉末什么都不溶解,首先从粉末中挑选单晶或晶体,若不成,A:改动条件,换配体或加入新的盐,如季铵盐,羧酸盐等;B:破坏性实验,设法使其反响酿成新物质.
部分固体,部分在溶液中:首先通过颜色或条件变更推断两部分的大致组分,是否相同组成,固体挑单晶,溶液挥发培养单晶,若组成不合固体按1或2的办法处理.
全部为溶液一一旋蒸得到固体,将固体提纯,将主要组成纯化,再按照特点接上述四种单晶培养办法培养单晶.
总结:
单晶培养的办法多种多样,如升华法、共结晶法等.最简单的最实用经常使用的有:1.溶剂缓慢挥发法;2.液相扩散法3.气相扩散法.99%的单晶是用以上三种办法培养出来的.
一、单晶培养要点
1、一般以10--25mg为佳,如果你只有2mg左右样品,也没关系,但这时就要选择液相扩散法和气相扩散法,不克不及使用溶剂缓慢挥发法.
2、单晶培养的样品的预处理样品溶解后一定要过滤,不克不及用滤纸,而是用一小团棉花轻轻的塞在滴管的中下部或下部,不要塞太紧,不然流的太慢.样品当然是越纯越好,不过如果实在没办法弄纯也没关系,培养一次就相当
于提纯了一次,也可用一些TLC显示有杂点的东西长单晶,但要多养几次.
3、一定要做好记录,一次就得到单晶的可能性比较小.因此最好的办法就是在第一次培养单晶的时候,采纳少量多溶剂体系的办法.如果你有50mg样品,建议你以5mg为一单位,这样你可以同时实验10种溶剂体系,而不是选两种溶剂体系,每个别系25mg.这时做好记录就特别重要,以免下次又采取巳经失败的溶剂体系,并且单晶解析时必须知道所用的溶剂.
4、培养单晶时,最好放到没人碰的地方,这点大家都知道.我想说的是你不克不及一天去看几次也不克不及放在那里五六天不管.也许有的溶剂体系一天就析出了晶体,结果五天后,溶剂全干了.一般一天看一次合适,看的时候不
要动它.明显不成的体系(如析出絮状固体)就要重新用此外溶剂体系再重新培养.
5、液相扩散法中良溶剂与不良溶剂的比例最好为1:2—1:4,可以测验考试的溶剂系统:CH2CI2/乙醚或戊烷;THF/
乙醚或戊烷;甲苯/乙醚或戊烷;水/甲醇;CHCB/正庚烷
6、化合物结构中烷基链超出4个碳的很难培养单晶.
7、份子中最好不要有叔丁基,因为容易无序,影响单晶解析的质量.8、含氯的取代基一般容易长单晶,如4--氯苯基取代化合物比苯基取代化合物容易长单晶.
9、无水无氧条件下的单晶培养,最简单的办法就是将固体样品
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