基于过渡边界条件的无线充电纳米晶薄层屏蔽磁场计算方法.pdfVIP

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2023-09-19 发布于新疆
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基于过渡边界条件的无线充电纳米晶薄层屏蔽磁场计算方法.pdf

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2022 年 12 月电工技术学报 Vol.37 No. 23 第 37 卷第 23 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Dec. 2022 DOI:10.19595/ki.1000-6753.tces.211182 基于过渡边界条件的无线充电纳米晶薄层屏蔽磁场计算方法 1 2,3 2,3 1 4 朱子旭张献杨庆新沙琳刘立东（1. 天津市电气装备智能控制重点实验室（天津工业大学）天津 300387 2. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室（河北工业大学）天津 300130 3. 河北工业大学河北省电磁场与电器可靠性重点实验室天津 300130 4. 横店集团东磁股份有限公司东阳 322118 ）摘要电动汽车无线充电系统中的纳米晶薄层屏蔽结构在大幅度降低耦合机构的体积与质量的同时，也为复合屏蔽的仿真计算增加了难度。该文为减小纳米晶薄层屏蔽周围磁场计算时间，结合过渡边界条件（TBC ）计算方法，分析具有高磁导率的纳米晶薄层屏蔽内磁场分布，为电动汽车无线充电中纳米晶薄层屏蔽复合系统提出了无线充电薄层 TBC 计算模型。分别搭建无线充电系统的一般计算模型与 TBC 计算模型，根据趋肤深度调整计算单元，得出精确划分情况下， TBC 模型与一般模型计算和实验测量结果相吻合，TBC 模型计算时间最多可减小为一般模型的 41.7% ，大幅度加快无线充电复合屏蔽模型计算速度。关键词：纳米晶薄层屏蔽过渡边界条件磁屏蔽各向异性计算模型中图分类号：TM724 A Calculation Method of Magnetic Field of Wireless Charging Nanocrystalline Thin Layer Shielding Based on Transition Boundary Condition Zhu Zixu 1 Zhang Xian2,3 Yang Qingxin2,3 Sha Lin 1 Liu Lidong4 （1. Tianjin Key Laboratory of Intelligent Control of Electrical Equipment Tiangong University Tianjin 300387 China 2. State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment Hebei University of Technology Tianjin 300130 China 3. Key Laboratory of Electromagnetic Field and Electrical Apparatus Reliability of Hebei Province Hebei University of Technology Tianjin 300130 China 4. Hengdian Group DMEGC Magnetics Co. Ltd Dongyang 322118 C