单原子层金属薄膜超导电性及拓扑绝缘体表面态的STM研究的中期报告.docxVIP

单原子层金属薄膜超导电性及拓扑绝缘体表面态的STM研究的中期报告 本研究旨在通过扫描隧道显微镜（STM）研究单原子层金属薄膜的超导性和拓扑绝缘体表面态的特性。 在前期研究中，我们选择了三种单原子层金属材料：铜（Cu）、银（Ag）和钯（Pd），通过分子束外延（MBE）技术生长了单原子层薄膜，并使用STM对其表面进行了观察。我们发现，这些单原子层薄膜的表面呈现出平整、均匀的特性，并且表面缺陷较为稀少。 接着，我们对这些单原子层薄膜进行了超导性的研究。使用STM在低温下逐渐降温，观察其在不同温度下的电阻率变化。在铜和银的单原子层薄膜中，我们观察到了明显的超导相变现象；而在钯的单原子层薄膜中，我们并未观察到超导相变现象。这说明，单原子层金属薄膜的超导性质与其材料的特性有关。 在拓扑绝缘体表面态的研究方面，我们选择了二溴化铋（Bi2Br）作为研究对象，通过MBE技术生长了其单晶薄膜，并使用STM观察了其表面态的特性。我们在Bi2Br表面观察到了独特的表面能带结构，其中存在贯穿整个布里渊区的Dirac锥，这表明Bi2Br是一种拓扑绝缘体材料。 在后续的研究中，我们将进一步探究单原子层金属薄膜的超导性质与材料特性之间的关系，并详细研究拓扑绝缘体表面态的特性及其物理机制。