CMK-5有序中孔碳以及碳纳米管半导体硫化物复合材料的合成与表征的中期报告.docxVIP

CMK-5有序中孔碳以及碳纳米管半导体硫化物复合材料的合成与表征的中期报告 本文介绍了一种成功合成CMK-5有序中孔碳和碳纳米管半导体硫化物复合材料的方法，并进行了表征。具体步骤如下： 首先通过硬模板法合成了具有有序中孔结构的CMK-5有序中孔碳。然后使用化学气相沉积法，在CMK-5表面成功生长了碳纳米管。接下来使用电化学沉积法在CMK-5表面生长半导体硫化物（如CdS、ZnS等），制备了具有良好结晶性、稳定性和可重复性的CMK-5/CNT/半导体硫化物复合材料。 对所制备的CMK-5/CNT/半导体硫化物复合材料进行了多种表征手段的分析，主要包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线粉末衍射仪（XRD）、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）和光电子能谱仪（XPS）等。结果表明，所制备的复合材料具有优异的结构和光学性能，且其电化学性能也得到了有效提升。 因此，本研究提供了一种有效的方法来合成具有有序中孔结构的CMK-5有序中孔碳和碳纳米管半导体硫化物复合材料，并对其进行了广泛的表征分析。该方法可能为制备高性能光电催化剂、电化学储能器件等提供了有价值的参考和指导。