半导体氧化铈薄膜的阻变存储器特性研究.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 半导体氧化铈薄膜的阻变存储器特性研究 摘要 作为一代典型代表的非遗存储器，阻变存储器在近些年得到了广泛关注。因为对阻变机制的研究不够深入透彻，所以始终阻变材料的应用被严重的制约了。因此，成为阻变研究领域的核心，一直都把阻变机制与阻变性能系统研究深入探索作为研究的热点方向。本论文采用了溶胶-凝胶法在p-Si衬底上制备出立方萤石结构的二氧化铈（SeO3）薄膜的阻变存储相应阵列结构及单元，研究了器件阻变性能的影响和相关制备工艺对薄膜阻变特性。并对CeO3/LaNiO3/p-Si和CeO3/p-Si所得到的I-V和C-R曲线进行了分析 因为氧化铈(Ce02)本身