第三讲半导体二极管和三极管演示文稿.pptVIP

晶体管的电流放大原理 IE IB RB EB UBE IC EC 输入电路 输出电路 公共端 晶体管具有电流放大作用的外 部条件： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 NPN 管： UBE0 UBC0 即：VCVBVE PNP 管： UBE0 UBC0 即：VCVBVE RC UCE B C E 共射极放大电路 当前第30页\共有42页\编于星期五\8点 第三讲半导体二极管和三极管演示文稿 当前第1页\共有42页\编于星期五\8点 （优选）第三讲半导体二极管和三极管 当前第2页\共有42页\编于星期五\8点 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 空穴 当前第3页\共有42页\编于星期五\8点 2. N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷，则形 成N型半导体。 多余价电子 少子 多子 正离子 在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 N型半导体 当前第4页\共有42页\编于星期五\8点 P型半导体 在硅或锗中 掺入三价元素， 如硼,则形成P 型半导体。 原理图 B B- 硼原子 负离子 空穴 填补空位 结构图 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 多子 少子 负离子 当前第5页\共有42页\编于星期五\8点 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结。 P 区 N 区 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 空间电荷区 内电场方向 3.PN结 当前第6页\共有42页\编于星期五\8点 空间电荷区 内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。 P区 N区 多子扩散 少子漂移 当前第7页\共有42页\编于星期五\8点 PN结的单向导电性 P区 N区 内电场 外电场 E I 空间电荷区变窄 P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷。 N区电子进入空间电荷 区抵消一部分正空间电荷。 扩散运动增强，形成较大的正向电流。 外加正向电压 当前第8页\共有42页\编于星期五\8点 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 空间电荷区变宽 内电场 外电场 少子越过PN结形成很小的反向电流 IR E 外加反向电压 当前第9页\共有42页\编于星期五\8点 由上述分析可知： PN结具有单向导电性 即在PN结上加正向电压时，PN结 电阻很低，正向电流较大。（PN结处 于导通状态） 加反向电压时，PN结电阻很高，反 向电流很小。（PN结处于截止状态） 切记 当前第10页\共有42页\编于星期五\8点 二、二极管 1.结构 表示符号 面接触型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 阴极 阳极 D 当前第11页\共有42页\编于星期五\8点 半导体二极管 依据制作材料分类，二极管主要有锗二极管和硅二极管两大类。 依据用途分类，较常用的二极管有四类： 普通二极管:如2AP等系列，用于信号检测、取样、小电流整流电路等。 整流二极管:如2CZ、2DZ等系列，广泛使用在各种电源设备中做不同功率的整流。 开关二极管:如2AK、2CK等系列，用于数字电路和控制电路。 稳压二极管:如2CW、2DW等系列，用在各种稳压电源和晶闸管电路中。 当前第12页\共有42页\编于星期五\8点 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件的电极数目 用拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类型 用数字表示器件的序号 用汉语拼音字母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N型锗材料 P 普通管 C 参量管 B P型锗材料 Z 整流管 U 光电器件 C N型硅材料 W 稳压管 N 阻尼管 D P型硅材料 K 开关管 V 半导体 E 化合物 L 整流堆 S 特殊器件 晶体二极管的型号 当前第13页\共有42页\编于星期五\8点 2.二极管的伏安特性 -20 -40 -40 -20 -25 0.4 0.2 -50 10 O O 15 5 U/V I/mA 60 40 20 -50 -25 0.4 0.8 I/mA U/V 正向 反向 击穿电压 死区电压 U(B