场效应管放大电路习题答案.docxVIP

第 3 章 场效应管放大电路 3-1 判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R GS 大的特点。（ ? ） 若耗尽型N 沟道MOS 管的 U GS  大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ? ） 选择正确答案填入空内。 （1）U ＝0V 时，不能够工作在恒流区的场效应管有 B 。 GS A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 当场效应管的漏极直流电流I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 改正图 P3-3 所示各电路中的错误， 使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共源接法。 图 P3-3 解 ：（ a） 源极加电阻 R 。 S （ b） 漏极加电阻 R 。 D （ c） 输入端加耦合电容。 （ d） 在 Rg 支路加－ VG G ， ＋ VD D 改为－ VD D改正电路如解图 P3-3 所示。 解图 P3-3 已知图 P3-4(a) 所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图 （ b） (c) 所示。 u（ 1 ） 利用图解法求解 Q 点 ；（ 2 ） 利用等效电路法求解 A u 、 R 和 R 。 i o 图 P3-4 解 ：（ 1 ） 在转移特性中作直线 u G S ＝ － i R