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4002000宽谱段光纤光谱仪的研制 单光谱仪测量原理 400.2500nm的光谱区域覆盖着几乎轮廓外的宽光谱区域。要使用光谱分析，很难在宽光谱部分获得高的效率。 在实验室使用的可见至近红外光谱仪都是采用多块光栅切换扫描和多个单点探测器进行光谱测量。 随着CCD线阵、 CMOS线阵等阵列器件的广泛应用, 出现了基于线阵列探测器的光谱仪。 如美国Ocean Optics公司的USB2000型光纤光谱仪, 其光谱范围覆盖在200～1 100 nm之间, 且体积小测量速度快, 很受市场欢迎。 为满足野外现场矿物、 环境及土壤等测试及遥感地面验证仪器的需求, 光谱范围需达到400～2 500 nm, 同时要求仪器体积小、 重量轻和测量速度快。 目前, 满足上述要求的只有美国ASD公司生产的Field Spec-3光谱仪, 该谱仪采用一套摄谱仪和两套近红外扫描光栅光谱仪进行拼装实现宽谱段的测量, 主要存在问题是多个谱仪拼装造成仪器笨重; 输入光采用3根光纤分别导入, 导致测量点的代表性差; 光栅扫描方式导致测量速度较慢。 本文所述宽谱段光纤光谱仪是基于一套摄谱仪光路实现宽谱覆盖, 测量代表性强。 文中叙述了如何用一块光栅实现宽谱的高效率和探测器光谱响应不能宽谱覆盖的两个核心问题。 1 系统的成像系统 仪器由光源系统、 样品反射测量系统、 分光系统、 电路系统和计算机控制分析系统5部分组成。 其中反射样品光经过光纤耦合进入分光系统, 分光系统采用平面光栅分光的摄谱方式。 探测器采用Si线阵器件探测400～900 nm范围的光谱, 2个InGaAs线阵器件分别探测900～1 700和1 700～2 500 nm范围的光谱。 分光系统中的光栅衍射效率选择在长波近红外区域, 在短波近红外及可见光区域由于采用高灵敏的Si线阵器件, 从而弥补了光栅效率低的缺陷, 另外, 还可提高积分时间来增加信号强度和提高信噪比。 在光谱面上, 采用探测器像面立体交错拼接的方法。 1.1 勘探区的确定 光学设计要求指标: 光谱范围为400～2 500 nm; 相对孔径为f/4 (焦距90 mm) ; 杂散光为小于0.1%; 光栅为平面, 刻线177; 带宽优于7 nm; 光传输方式为光纤耦合。 根据应用要求, 优先考虑1 700～2 500 nm光谱区域的性能, 选择1 700～2 500 nm区域为设计初始基础, 选择的InGaAs探测器像元个数256, 像元大小50×50 μm。 则像面长度l等于256×50=12.8 mm。 此区域对应的线色散 ΔλΔl=2500?170012.8=62.5nm?mm?1(1)ΔλΔl=2500-170012.8=62.5nm?mm-1(1) 取此处分辨率为6 nm, 对于采用水平对称式光路, 焦距f1=f2, 放大倍数γ=1, 入射狭缝取s, 则有s×ΔλΔl=6s×ΔλΔl=6nm, 算得s=0.096 mm, 可取0.1 mm。 由色散公式 dλdl=cosγkfb(2)dλdl=cosγkfb(2) 其中:k为衍射级次 (取1级) ,f为焦距,b为光栅每毫米刻线数,γ为衍射角 (角度较小, cosγ≈1) 。 取焦距f=90, 则b=1600090=177b=1600090=177lines·mm-1。 (1) 光路选择 光路采用水平对称光路, 采用全息平面光栅作为分光元件。 (2) 光学参数表见表1 (3) 照片的光谱图见图1 (4) 和2500nm处的分辨 900和905 nm处分辨的点阵列图如图2所示。 2 494和2 500 nm处的分辨图如图3所示。 从图2和图3可以看出, 光学系统在900 nm处分辨率优于5 nm, 在2 500 nm处分辨率达到6 nm, 达到了总体设计要求。 1.2 器件的布置设计 在上述光学系统中要实现宽谱段瞬间测量, 须对线阵探测器进行像面拼接。 像面拼接有光学棱镜拼接、 不同视场机械交错拼接和不同空间的立体交错拼接。 本系统不涉及不同视场, 所以只能选择光学棱镜拼接或不同空间的立体交错拼接。 在本系统中, 采用不同空间的立体交错拼接, 采用的是全反射光学反光方法, 将400～900, 900～1 700和1 700～2 500 nm三个光谱段的光谱面分为3个区域, 分别反射到不同的3个立体面, 可将器件分别布置在3个立体面上, 设计方案如图4所示。 为消除光栅衍射的二级光谱, 在CCD1上粘贴起始波长为400 nm的长波通滤光片, CCD2上粘贴起始波长为900 nm的长波通滤光片, CCD3上粘贴起始波长为1 700 nm的长波通滤光片。 2 cpld器件设计 仪器电子学系统由前置放大、 CPLD时序发生、 ADC和基于CY7C68013单片机的USB2.0数据传输4部分组