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- 2023-10-04 发布于四川
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本发明提供了电阻随机存取存储器(RRAM)单元，例如导电桥接随机存取存储器(CBRAM)单元和基于氧空位的RRAM(OxRRAM)单元。RRAM单元可包括形成在相邻金属互连层之间或硅化有源层(例如，包括MOSFET器件)与第一金属互连层之间的金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构。该RRAM单元的该MIM结构可通过镶嵌过程形成，该镶嵌过程包括：在电介质区中形成桶开口；在该桶开口中形成杯形底部电极；在由该杯形底部电极限定的内部开口中形成杯形绝缘体；以及在由该杯形绝缘体限定的内部开口中形成顶部电极。该杯形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116848968 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202180089603.1 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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