真空蒸发制备稀土掺杂ZnSe薄膜及其特性研究的中期报告.docxVIP

真空蒸发制备稀土掺杂ZnSe薄膜及其特性研究的中期报告 该研究旨在利用真空蒸发技术制备稀土掺杂ZnSe薄膜，并研究其光学和结构特性。在实验中，使用了电子束蒸发设备，在高真空条件下，以ZnSe和掺杂材料为靶材，通过蒸发沉积的方式制备了不同掺杂浓度的ZnSe薄膜。其中，掺杂材料包括铕、镓、铓等稀土元素，浓度分别为0.1%，0.5%和1%。 在制备过程中，通过调节蒸发速率和靶材距离等参数，可以获得不同厚度和形貌的ZnSe薄膜。同时，使用X射线衍射仪、透射电镜等分析技术对样品进行了结构和形貌表征。结果表明，所得样品具有较好的晶体结构和平整的表面形貌。 在光学特性上，通过紫外-可见吸收光谱和荧光光谱对样品进行了测试，发现不同掺杂材料和浓度对ZnSe薄膜的光学性质有较大影响。其中，镓掺杂对ZnSe薄膜的荧光强度和发射波长影响较大，铕掺杂则会导致样品的吸收峰位置向长波方向移动。 结论表明，利用真空蒸发技术可以有效制备稀土掺杂ZnSe薄膜，并且不同掺杂材料和浓度会对其结构和光学特性产生影响。这些结果为进一步研究稀土掺杂ZnSe薄膜的物理和应用性质提供了基础。