电子技术基础习题答案.docx

1 / 8word. 1 / 8word. 第 1 章 检测题 （共 100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子 ，少数载流子为 空穴 ，不能移动的杂质离子带 正 电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 自由电子 ，不能移动的杂质离子带 负 电。 2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。 3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反 ，有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 一致 ， 有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ，这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。 4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ，其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立，对多数载流子的 扩散 起削弱作用，对少子的 漂移 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， PN 结 形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管，正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。 三、选择题：（每小题 2 分，共 20 分） 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题 4 分，共 28 分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 3、图 1-29 所示电路中，已知 E=5V， u 3、图 1-29 所示电路中，已知 E=5V， ui ? 10 sin? t V，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻 R=0，反向阻断时电阻 R=∞），试画出 u0 的波形。 答：分析：根据电路可知，当uiE 时，二极管导通u0=ui，当uiE 时，二极管截止时，u0=E。所以 u0 的波形图如下图所示： u/V 图 1-29 10 u0 5 0 ω t u i 第 2 章 检测题 （共 100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 21 分） 1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。 5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为 上 削顶。若采用分压式偏置电路，通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ，可达到改善输出波形的目的。 10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界 温度 及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做 零点 漂移。克服 零点 漂移的最有效常用电路是 差动 放大电路。 四、简答题：哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4 分） 采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。 五、计算题：（共 17 分） 1、如图 2-23 所示分压式偏置放大电路中，已知 RC＝3.3KΩ，RB1＝40KΩ，RB2＝10KΩ，RE＝1.5KΩ， CEQβ=70。求静态工作点 IBQ、ICQ 和 U 。（8 分，图中晶体管为硅管） CEQ C＋25V C R C B1 1 ＋ RC ＋ 2 Riuu B2 R C 0 R i u E E 2 / 8word. 图 2-23 检测题 2-5-1 电路图 PAGE PAGE 3 / 8word. V ? 25 ?10 B 40 ? 10 ? 5V I CQ ? I ? 5 ?