皮秒高压脉冲驱动下微通道板中电子的渡越时间和增益特性.docxVIP

皮秒高压脉冲驱动下微通道板中电子的渡越时间和增益特性 实验结果与分析 自1958年以来，微通道板（mcp）一直致力于研究和开发微信号。由于电子增益，它被广泛应用于测量微信号，尤其是近年来的快照。1979年,Eberhardt提出了基于“能量正比假设”的MCP增益模型,该解析模型与实验结果吻合较好。所谓“能量正比假设”是指在MCP的电子倍增过程中,电子是以近似于掠入射的角度与通道壁相碰撞,所产生的二次电子的径向初能量正比于入射电子碰壁时的能量。由此,Eberhardt推导出电子碰壁次数与MCP两端所加电压无关,且MCP增益与所加电压的关系在双对数坐标下呈直线。随后,常增虎提出 “能量正比假设”可能仅适用于入射电子能量较小的情况,原因是首次碰撞时,X射线光子的能量很大,因此该假设不再适用,并给出了一个修正公式。在首次碰撞与随后的碰撞被区分开来后得到:碰壁次数与MCP上所加电压有关,且与首次碰撞的二次电子的初能量也有直接关系的结论,并数值模拟了在MCP两端加高斯电压时的MCP选通特性。以上研究结果都是在一个入射电子或光子的情况下获得的。 本文基于“能量正比假设”,对MCP中电子的渡越时间特性和入射电子为一电子脉冲时的MCP倍增特性作了讨论,得到了渡越时间曲线和增益曲线,并给出了相关的结论。 1 电子各能量的测量 MCP内电子的运动过程如图1所示。在MCP两端施加电压时, 从通道负电压端入射的电子轰击通道内壁产生二次电子。这些二次电子在通道内电场的加速作用下沿着通道向前传输并再次与通道内壁发生碰撞, 产生新的二次电子, 并重复该过程直至从通道出口端射出。 若MCP端面所加电压为VMCP(t),对于运动轨迹与微通道板轴线相交的电子来说,在与MCP相邻的2次碰撞间,其在MCP内运动的轴向长度为 ΔZ=2eV///m???????√?(ti+1?ti)+emL?∫ti+1ti∫τti(VMCP(t)+Vd)dtdτ(1)ΔΖ=2eV///m?(ti+1-ti)+emL?∫titi+1∫tiτ(VΜCΡ(t)+Vd)dtdτ(1) 式中:e,m分别为电子电荷量和质量;eV//为二次电子平行于微通道板轴线方向的初能量;ti,ti+1分别为电子第i次、第i+1次与通道壁相碰的时刻;L为微通道板长度;Vd为微通道板两端所加直流偏置电压。 由于(1)式中第一项远小于第二项,因而ΔZ可用如下的近似公式求出: ΔZ≈emL?∫ti+1ti∫τti(VMCP(t)+Vd)dtdz(2)ΔΖ≈emL?∫titi+1∫tiτ(VΜCΡ(t)+Vd)dtdz(2) 电子被加速ΔZ长度后,其能量增量为 EKi+1=0.5e2/(mL2)?[∫ti+1ti(VMCP(t)+Vd)dt]2(3)EΚi+1=0.5e2/(mL2)?[∫titi+1(VΜCΡ(t)+Vd)dt]2(3) 由于EKi+1?eV⊥,EKi+1?eV//,因此,电子第i+1次与通道壁相碰时,可认为其能量为EKi+1。eV⊥为二次电子垂直于微通道板轴线方向的初能量。 2 入射光电子的能量 MCP端面所加电压为VMCP(t),MCP长度为L=0.5 mm,单通道直径D=12.5 μm。由“能量正比假设”可得电子第i次碰撞通道壁后打出的二次电子初能量为 eV⊥i=EKi/(4β2) (4) 式中β≈2.91,其确切值与MCP材料和制作工艺有关。 假设所有二次电子都垂直于通道壁表面发射,则由同一入射电子所激发的二次电子第i+1次与通道壁相碰的时刻及轴向位置分别为 ti+1=ti+D/2eV⊥i/m????????√(5)Zi+1=Zi+ΔZ(6)ti+1=ti+D/2eV⊥i/m(5)Ζi+1=Ζi+ΔΖ(6) 式中ti为二次电子与通道壁第i次碰撞的时刻;Zi为二次电子第i次碰壁时的轴向位置。 设入射光电子在通道内第i次倍增的二次发射系数为δi,则有关系式 δi=(EKi/EC)K(7) 式中:EKi为电子第i次碰撞通道壁时的能量;EC=25.27 eV,该值对应于二次电子发射系数为1时的碰撞能量;K(=0.49)为与MCP材料和制作工艺有关的常数。 t时刻入射的光电子与微通道板碰撞n次后,总的增益为 G(t)=∏i=1nδi(8)G(t)=∏i=1nδi(8) 取MCP输入面为轴向方向的坐标原点,并假设第一次碰撞时Z1=0,δ1=1,这样的结果很容易折算到首次碰撞增益不为1的情况。 由(3)～(7)式可计算出二次电子的初能量、二次电子碰壁时的能量、时间和轴向位置以及随后各次倍增过程的相应值,直至二次电子射出MCP;由(8)式可得到不同时刻入射电子的增益。(8)式中的G(t)为入射电子数为1时的增益。由于实际测量曝光时间时,入射的电子为一电子脉冲,为了与曝光时间的实际测量方法更接近,考虑某