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二极管的电路符号与基本结构(6) 本文档共45页；当前第29页；编辑于星期一\18点18分 二极管的电路符号与基本结构(7) 本文档共45页；当前第30页；编辑于星期一\18点18分 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 二极管的伏安特性 试验电路如图： 本文档共45页；当前第31页；编辑于星期一\18点18分 二极管的伏安特性(1) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 本文档共45页；当前第32页；编辑于星期一\18点18分 电工电子学(Ⅲ) 电工电子技术电子技术演示文稿 本文档共45页；当前第1页；编辑于星期一\18点18分 优选电工电子技术电子技术 本文档共45页；当前第2页；编辑于星期一\18点18分 问题提出： 现有一个收音机，需要6V直流稳压电源供电才能正常工作，而现场只提供220v交流工频电源插孔，怎样才能为收音机提供正常工作的电源。 ？ 220v 6V 本文档共45页；当前第3页；编辑于星期一\18点18分 直流稳压电源的组成 半导体直流电源的原理方框图 交流电源 负载 变压 整流 滤波 稳压 u t u t u t u t u t 220v 6V 本文档共45页；当前第4页；编辑于星期一\18点18分 主要内容 1.1 半导体二极管及其整流作用 1.2 RC滤波电路 1.3 稳压二极管稳压电路 1.4 集成三端稳压器稳压电路 小结 本文档共45页；当前第5页；编辑于星期一\18点18分 1.1 半导体二极管及整流电路 半导体基本知识 半导体二极管 二极管整流电路 本文档共45页；当前第6页；编辑于星期一\18点18分 本征半导体(1) 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。 + + Si Ge 本文档共45页；当前第7页；编辑于星期一\18点18分 本征半导体(2) 价电子与共价键 在本征半导体的晶体结构中，每一个原子与相邻的四个原于结合。每一原子的—个价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对。这对价电子是每两个相邻原子共有的，它们把相邻的原子结合在一起，构成所谓共价键的结构。 本文档共45页；当前第8页；编辑于星期一\18点18分 本征半导体(3) 价电子受到激发，形成自由电子并留下空穴。 半导体中的自由电子和空穴都能参与导电——半导体具有两种载流子。 自由电子和空穴 同时产生 本文档共45页；当前第9页；编辑于星期一\18点18分 本征半导体(4) 在价电子成为自由电子的同时，在它原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴表示该位置缺少一个电子，丢失电子的原子显正电，称为正离子。 自由电子又可以回到空穴的位置上，使离子恢复中性，这个过程叫复合。 自由电子与空穴的产生与复合 本文档共45页；当前第10页；编辑于星期一\18点18分 杂质半导体 如果在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)，这将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电性能大大增强. N型半导体 P型半导体 本文档共45页；当前第11页；编辑于星期一\18点18分 N型半导体(1) 在硅或锗晶体中掺入磷(或其它五价元素)。 在这种半导体中形成了大量自由电子。这种以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体或N型半导体。 Si Ge + P =N型 本文档共45页；当前第12页；编辑于星期一\18点18分 P + Si Si Si Si Si Si P 特点 在N型半导体中电子是多数载流子、空穴是少数载流子。 本文档共45页；当前第13页；编辑于星期一\18点18分 P型半导体(1) 在硅或锗晶体中渗入硼(或其它三价元素)。 在半导体中形成了大量空穴，这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴半导体或P型半导体。 Si Ge + B =P型 本文档共45页；当前第14页；编辑于星期一\18点18分 Si Si Si Si Si Si B + B 掺硼的半导体中，空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体 本文档共45页；当前第15页；编辑于星期一\18点18分 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。