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* * * * 例题10： 求导带中某个状态被电子占据的概率，并计算T=300K 时硅中的热平衡电子浓度 设费米能级位于导带下方0.25eV处，T=300K时硅中有效导带状态密度值为 本文档共49页；当前第31页；编辑于星期三\6点50分 本文档共49页；当前第32页；编辑于星期三\6点50分 基本概念 Eg=1.42eV Eg=1.12eV 本文档共49页；当前第33页；编辑于星期三\6点50分 基本概念 本文档共49页；当前第34页；编辑于星期三\6点50分 本征半导体中： 本征半导体中导带中的电子浓度值等于价带的空穴浓度值 说明：本征载流子浓度与费米能级无关 本征载流子浓度 本文档共49页；当前第35页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=300K 时砷化镓中的本征载流子浓度，砷化镓禁带宽度为 1.42eV 例题13： 本文档共49页；当前第36页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=450K 时砷化镓中的本征载流子浓度 例题14： 说明：当温度升高150摄氏度时，本征载流子浓度增大四个数量级以上。 本文档共49页；当前第37页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=300K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 本文档共49页；当前第38页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=200K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 说明：当温度降低100摄氏度时，本征载流子浓度降低大约五个数量级。 本文档共49页；当前第39页；编辑于星期三\6点50分 计算 T=400K 时硅中的本征载流子浓度 例题15： 本文档共49页；当前第40页；编辑于星期三\6点50分 电子和空穴浓度相等 同时取自然对数 导带和价带的状态密度 6. 本征费米能级位置 本文档共49页；当前第41页；编辑于星期三\6点50分 禁带中央 费米能级位置 说明：如果电子和空穴的有效质量相等，则本征费米能级精确处于禁带中央。 本文档共49页；当前第42页；编辑于星期三\6点50分 例题16： T=300K时，计算硅中本征费米能级位置 说明： 12.8meV与禁带宽度的一般（560meV）相比可以忽略。因此，可以近似认为：本征半导体中，费米能级位于禁带中央位置 本征费米能级相对于禁带中央的位置为 本文档共49页；当前第43页；编辑于星期三\6点50分 例题17： T=300K时，计算砷化镓中本征费米能级相对于禁带中央位置 本文档共49页；当前第44页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体 本征半导体是没有杂质原子和缺陷的纯净晶体 在非本征半导体中，电子和空穴两者中有一种将占主导地位 非本征半导体是掺入了定量的特定杂质原子，从而热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征半导体的材料 本文档共49页；当前第45页；编辑于星期三\6点50分 电子和空穴的平衡分布 本文档共49页；当前第46页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中： n 型半导体：电子浓度高于空穴浓度，掺入施主杂质原子 p 型半导体：空穴浓度高于电子浓度，掺入受主杂质原子 本文档共49页；当前第47页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中电子浓度： 说明：加入施主杂质，费米能级高于 本征费米能级 本文档共49页；当前第48页；编辑于星期三\6点50分 非本征半导体中空穴浓度： 说明：加入受主杂质，费米能级低于本征费米能级 本文档共49页；当前第49页；编辑于星期三\6点50分 * * * * * * * * * * * * * 微电子计算例题详解演示文稿 本文档共49页；当前第1页；编辑于星期三\6点50分 （优选）微电子计算例题 本文档共49页；当前第2页；编辑于星期三\6点50分 例题1： 计算简立方、体心立方和面立方单晶的原子体密度，晶格常数为 说明：以上计算的原子体密度代表了大多数材料的密度数量级 本文档共49页；当前第3页；编辑于星期三\6点50分 例题2： 计算硅原子的体密度，其晶格常数为 本文档共49页；当前第4页；编辑于星期三\6点50分 特定原子面密度 说明：不同晶面的面密度是不同的 例题3： 本文档共49页；当前第5页；编辑于星期三\6点50分 例题4： 计算对应某一粒子波长的光子能量 已知波长 换算为更为常见的电子伏形式 能量为 2. 波粒二象性 本文档共49页；当前第6页；编辑于星期三\6点50分 例题5： 计算一个粒子的德布罗意波长 已知电子的运动速度为 说明：典型电子的德布罗意波长的数量级 德布罗意波长 电子动量为 本文档共49页；当前第7页；编辑于星期三\6点50分 例题6： 计算无限深势阱中电子的前三能级，势阱的宽度为 说明：从计算中可以看到束缚态电子能量数量级 3. 能级 本文档共49页；当前第8页；编辑于星期三\6点50分 例题7： 费米能级被电子占据的概率