场效应管放大电路课件.pptxVIP

(3-*) 场效应管放大电路 (3-*)场效应管（FET）： 是一种具有PN结的有源半导体器件，利用电场效应来控制输出电流的大小。场效应管的特点：①输入电阻高；②内部噪声小；③功耗低；④热稳定性及抗辐射能力强；⑤工艺简单、易于集成化。输入端PN结一般工作反偏或绝缘状态。场效应管的分类：结型FET（JFET）：MOSFET（IGFET）：N沟道、P沟道增强型：耗尽型：N沟道、P沟道N沟道、P沟道 (3-*)N§3.1 结型场效应管（JFET）一、 JFET的结构和符号 # 符号中的箭头方向表示什么？表示栅结正向偏置时，电流方向是由P指向N。PP+P+DSGDGSN沟道JFET 的结构和符号栅极 漏极 源极 NPNBIBDGSP沟道JFETN+N+CEBCEPNPIBBCEBCE (3-*)二、 JFET的工作原理※N沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压——uGS 0.GNP+P+DS栅极—沟道间的PN结反偏，栅极电流iG?0栅极输入阻抗高达107?以上。在D-S间加一个正电压uDS0,N沟道中的多子（电子）由S向D运动，形成漏极电流iD。iDiG主要讨论uGS对iD的控制作用以及uDS对iD的影响。电子iDuGSuDS输入电阻很高只有一种类型的多数载流子参与导电 (3-*)GNP+P+DS1、 UGS对iD对控制作用① UDS=0， uGS 对导电沟道的影响GNP+P+DSuGS=0导电沟道较宽|uGS|=|UGS(off)||uGS||UGS(off)|导电沟道由于耗尽层的加宽而变窄。导电沟道由于耗尽层的合拢而被夹断。GNP+P+DSUGS(off)——夹断电压。当uGS由零向负值增大时 沟道电阻rDS↑ |uGS| ↑当|uGS|= UGS（off）时，沟道夹断，iD=0 。 →沟道电阻rDS→ iD↓夹断电压 ↑ (3-*)耗尽层合拢的电压条件PN结两端电压=夹断电压UGS(off)GDSNuDSuGSP+P+AA点电压=uDG =UGS(off)=uDS - uGSuDS=uGS-UGS(off)uDS uGS-UGS(off)耗尽层合拢的电压条件耗尽层不合拢的电压条件uGS 夹断电压UGS(off) (3-*)GDSN② uDS对iD的影响uGS=0 ；导电沟道较宽；当uDS较小时(uDS uGS-UGS(off) )，iD随uDS的增大成正比增大；uDSiD0uDS↑导电沟道由于DS间的电位梯度呈契形；uDSuDS uGS-UGS(off)uGS→iD↑uDS产生一个沿沟道的电位梯度 iDuGS=0uDS↑P+P+ADSuDS→rDS↑很小，几乎不变→iD↑ (3-*)② uDS对iD的影响两耗尽层在A点相遇此时，A点耗尽层两边的电位差为：uDSiD0饱和漏电流uGD= UGS(off)|UGS(off)|IDSSDGP+P+SNA当uDS= |UGS（off）|时，靠近漏极出现沟道合拢，两耗尽层在A点相遇 称为预夹断状态 GNP+P+DSuGS = UGS(off)uGS=0= uGS- uDS? uDS= uGS-UGS(off) (3-*)② uDS对iD的影响沟道预夹断后，uDS uGS-UGS(off)GP+P+DSNuDS??夹断区长度?外电压的增量主要降落在夹断区上。uDS= uGS-UGS(off)沟道预夹断时，uGS=0uDS=-UGS(off)饱和漏电流uDSiD0|UGS(off)|IDSSuGS=0→rDS↑大1kΩ1Vi=1mA4V3kΩi=1mA1V4VΔV (3-*)② uDS对iD的影响GP+P+DSNuDS= uGS-UGS(off)沟道预夹断时，uGS=0uDS=-UGS(off)沟道预夹断后，uDS uGS-UGS(off)uDS??夹断区长度?外电压的增量主要降落在夹断区上。iD基本不随uDS的增加而上升， iD趋于饱和。在强电场作用下PN结雪崩击穿， iD急剧增大。饱和漏电流uDSiD0|UGS(off)|IDSSuGS=0若uDS BUDS，。uDS? (3-*)GDSNuDSuDS uGS-UGS(off)uGSiDP+P+uGS≠0, uDS ≠0→iD↑uDS↑饱和漏电流|UGS(off)|IDSSuDSiD0uDS=uGS-UGS(off)沟道预夹断uDS↑uDS uGS-UGS(off)?夹断区长度?iD基本不随uDS的增加而上升， iD趋于饱和。uDS↑在强电场作用下PN结雪崩击穿， iD急剧增大。uGS=0VuGS= -4VuGS= -8VuGD = uGS- uDS= UGS(off) (3