Al0.82In0.18NGaN单量子阱中的子带间跃迁的中期报告.docxVIP

Al0.82In0.18NGaN单量子阱中的子带间跃迁的中期报告 中期报告 本研究旨在研究Al0.82In0.18NGaN单量子阱中的子带间跃迁。本研究采用密度矩阵理论和含时扰动理论来计算子带间跃迁的概率和光学响应。 在本研究中，我们首先构建了Al0.82In0.18NGaN单量子阱的有效质量哈密顿量。然后，我们利用密度矩阵理论来计算量子阱中的载流子密度和子带间跃迁的概率。我们考虑了载流子密度的非平衡效应，并且引入了有效的重整化参数来考虑载流子间的相互作用。 接下来，我们利用含时扰动理论来研究子带间跃迁对光学响应的影响。我们考虑了光子和电子之间的相互作用，并且引入了外加电场的影响。我们计算了系统的线性和非线性光学响应，并且研究了子带间跃迁对光学响应的影响。 初步结果表明，载流子密度的非平衡效应对子带间跃迁的概率有重要的影响。此外，我们观察到外加电场对光学响应产生了显著影响，并且非线性光学响应表现出了非常强的增强效应。 未来工作将继续完善理论模型，并且进一步研究子带间跃迁和光学响应的关系。我们还计划与实验室进行合作，验证理论研究的结果。