一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用.pdf

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本发明提供一种SiOC或SiOCN薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括将(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源以间隔脉冲的形式通入预先设置有衬底的原子层沉积设备的反应腔中进行沉积，并重复上述步骤达到预设厚度，得到SiOC或SiOCN薄膜；所述制备方法以(R1R2N)xSiH4‑x、CaHbNc和氧源作为前驱体，利用原子层沉积技术，不仅在较低的温度下即可获得较高质量的SiOC或SiOCN薄膜，且可以精准调控SiOC或SiOCN薄膜中的氮含量和碳含量，进而可以精准调控薄膜的介电常数，为

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116926502 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202310916731.X H01L 21/768 (2006.01) (2