强内建电场下InGaNGaN量子阱中的空间非局域光学特性的中期报告.docxVIP

强内建电场下InGaNGaN量子阱中的空间非局域光学特性的中期报告 这篇报告主要介绍了在强内建电场下的InGaN/GaN量子阱中，空间非局域光学特性的中期研究进展。研究中通过激光光致发光和紫外-可见吸收光谱等技术对其进行了表征，并探究了空间非局域光学特性对其光学性质的影响。 研究结果表明，在强内建电场下的InGaN/GaN量子阱中，空间非局域光学特性对其光学性质有着明显的影响。研究发现，在一定的电场强度下，量子阱中的电子和空穴会分别被束缚在两个不同的区域，从而形成了电子洞子。这些子带之间的跃迁会导致InGaN/GaN量子阱中出现新的光学谱线，表明空间非局域光学特性对其光学性质的影响十分显著。 此外，研究还发现，在强电场条件下，量子阱中的InGaN/GaN材料会发生电子轨道的重排，从而导致能带结构的变化。这种电场调制的变化会进一步影响量子阱中的光学性质，表明量子阱中的空间非局域光学特性与电场强度之间存在着密切的关系。 综合以上研究结果，本研究认为，在InGaN/GaN量子阱材料的设计和制备过程中，应该重视量子阱中的空间非局域光学特性对其光学性质的影响。同时，还需要进一步研究电场强度对这些现象的影响机制，为量子阱中的光电器件设计提供更加全面的理论支持。