电子束光刻的应用.docxVIP

电子束光刻的应用 自2003年以来，微电工行业的功能尺寸已从100纳米转变为纳米尺寸。得益于浸入式光刻技术的应用,最新的奔腾芯片的最小尺寸是65nm,预计到2009年使用波长157nm的深紫外光可以达到45nm的最小尺寸。当器件的特征尺寸降到100nm以下时,量子尺寸效应、限域效应等物理效应对器件的影响变得越来越重要。此外,随着纳米科技的发展,各种新型的纳米材料和纳米结构不断制备出来,但在将它们用于器件之前,必须对其相关的物理特性有充分的了解和检测。因此,拓展和完善现有的各种微纳加工和制备技术是十分紧迫的任务。 光刻技术是微纳加工过程中的一个重要环节。目前常规的光学光刻是利用KrF、ArF光源。为了提高分辨率,人们开发出许多分辨率增强技术(RETs)。但提高光刻的数值孔径(NA值)带来的是巨大的成本压力,且光学近邻修正技术(OPC)和相移掩膜(PSM)等进一步提高了微细加工的成本门槛。即使这样,光学光刻能否实现30nm技术节点仍是一个疑问,人们需要寻找新的更高分辨率的光刻技术。因此,X射线、电子束、离子束光刻技术就成了研究的热点。其中,电子束光刻技术以其分辨率高、性能稳定、功能强大、价格相对低廉而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。 电子束光刻中使用的曝光机一般有两种类型:直写式与投影式。直写式就是直接将会聚的电子束斑打在表面涂有光刻胶的衬底上,不需要光学光刻工艺中最昂贵和制备费时的掩模;投影式则是通过高精度的透镜系统将电子束通过掩模图形平行地缩小投影到表面涂有光刻胶的衬底上。直写式光刻技术是最通常也是最常用的技术,随着直写式电子束曝光机的小型化,它在科学研究中的作用也日益广泛。本文以用于科研的直写式电子束曝光机为主,简要介绍直写式电子束光刻的原理和系统、技术特点及应用实例。 1 电子源发射技术 直写式光刻技术起源于扫描电镜。自从20世纪60年代第一台电子束曝光机发明以来,开发出来众多的产品,功能也不断地完善和改进。一般而言,直写式曝光机的工作原理是将精确聚焦的电子束斑逐点地在样品台上移动,而移动方式可以分为逐行扫描模式和矢量扫描模式。其镜筒系统组成主要包括:电子束光源、偏转系统、开关挡板和精确定位的样品台,如图1所示。 电子束光源有两种:热电子源和场发射源。前者是将灯丝加热到足够高的温度,使电子有足够的能量越过电子枪金属功函数的势垒发射出来形成电子源。而场发射源是利用足够强的电场使电子隧穿势垒形成电子源。一个好的电子源应该满足:亮度高、源斑小、能量发散小、稳定性强和时间长的使用寿命。表1为不同电子束源主要特性的比较。一般直写式曝光机主要使用的是热场发射源(表面镀ZrO的钨金属针尖),工作温度在1800K,和冷场发射源相比可以有效地防止针尖的污染并提供稳定的光源。 电子源发射出来的电子束的聚焦和偏转是在镜筒中完成的。镜筒通常包含有光阑、电子透镜、挡板、像散校正器和法拉第电流测量筒等装置。光阑的作用主要是设定电子束的会聚角和电子束电流。电子透镜的作用是通过静电力或是磁力改变电子束的运动。电子透镜类似光学透镜,也存在球差和色差(当外圈电子会聚比内圈电子强时就形成了球差,而当能量有微小差异的电子聚焦在不同平面上时就形成了色差),从而限制了束斑的大小和会聚角的范围。像散校正器可以补偿不同方位角电子束的像差。挡板的作用是开启或关闭电子束。 结合刻蚀和沉积工艺,利用直写式曝光技术可以制备20nm甚至更细的图形,最小尺寸达10nm的原理型纳米电子器件也已经制备出来。由于直写式曝光技术所具有的超高分辨率,无需昂贵的投影光学系统和费时的掩模制备过程,它在微纳加工方面有着巨大的优势。但由于直写式的曝光过程是将电子束斑在表面逐点扫描,每一个图形的像素点上需要停留一定的时间,这限制了图形曝光的速度。直写式电子束光刻在产能上的瓶颈使得它在微电子工业中一般只作为一种辅助技术而存在,主要应用于掩模制备、原型化、小批量器件的制备和研发。但直写式电子束曝光系统在纳米物性测量、原型量子器件和纳米器件的制备等科研应用方面已显示出重要的作用。 2 器件及其他聚合物材料 目前实验室常用的电子束曝光系统主要来自日本JEOL公司、德国Leica公司和德国Raith公司。表2给出了各家公司代表性的小型电子束曝光机的性能指标。 日本JEOL公司JEOL9300FS型机具有光斑可调的电子束光源及步进式样品台,能够作为制备砷化镓场效应管、X射线掩模及硅器件的电子束曝光设备;也可应用于极限尺寸的新器件(包括量子效应器件)的研究与制备。 德国Leica公司VB6 UHR EWF是一种高效的电子束曝光设备,不但可以应用于常规的微电子技术领域,还可以应用于前沿的纳米光刻和高精度项目。它使用大电流密度的热场发射枪,50MHz高速图形发生器和较大的操作区间,能够提供大范围的纳米光刻研发系