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光学光刻技术的现状与发展趋势 长期以来，光学光刻技术被用于集成电路的网格处理。光刻技术的发展在集成电路的重建中发挥着主导作用，这直接决定了单个设备的物理尺寸。光学光刻技术受限于工艺因子、光源波长和数值孔径,即著名的瑞利公式。 R=k1λNA(1)R=k1λΝA(1) 式中:k1—工艺因子; λ—入射光的最小波长; NA—数值孔径。 据此,可以从此三个方面提高光学光刻的分辨率。光源从早期的g(436 nm)和i(365 nm)谱线光源到KrF(远紫外线248 nm)、ArF(深紫外线 193 nm)和F2(157 nm)等准分子激光光源,更有采用浸润式光刻变相缩短入射波长的新型浸润光刻机出现,且已经在45 nm节点工艺形成产能。数值孔径从早期的0.28 nm提高到最新报道的1.6 nm,但数值孔径也不宜过大,因成像景深随数值孔径的减小呈平方减小,数值孔径过大,景深会大幅度减小。通过改善照明条件和改进掩模设计,如光学临近效应校正、移相掩模和离轴照明等,可使工艺因子k1缩小,经过优化组合,甚至可使k1值接近0.25 nm的极限。随着半导体技术的发展,需要的光学光刻设备越来越复杂且昂贵,而且进一步的发展解决更低加工技术节点也越来越困难。必须寻找新的图形转移技术才能保证半导体产业继续沿摩尔定律高速发展,在下一代图形转移技术中,纳米压印技术、电子束直写技术和X射线曝光技术占有重要位置,而且近年都取得了重大技术进步。 1 光刻胶加热压印技术 纳米压印技术最早由Stephen Y Chou教授在1995年率先提出,这是一种不同与传统光刻技术的全新图形转移技术。纳米压印技术的定义为:不使用光线或者辐照使光刻胶感光成形,而是直接在硅衬底或者其它衬底上利用物理学的机理构造纳米尺寸图形。传统纳米压印技术主要有三种:热塑纳米压印技术、紫外固化压印技术和微接触纳米压印技术。 热塑纳米压印技术主要的工艺流程:制备高精度掩模板,一般采用硬度大和化学性质稳定的SiC、Si3N4、SiO2,利用电子束蚀刻技术或反应离子蚀刻技术来产生图案;利用旋涂的方式在基板上涂覆光刻胶,常见的是PMMA和PS;加热至光刻胶的玻璃化转换温度(Tg)之上50 ℃～100 ℃,然后加压(500 kPa～1 000 kPa)于模板并保持温度和压力一段时间,液态光刻胶填充掩模版图形空隙;降低温度至Tg以下后脱模,将图形从模板转移到基片上的光刻胶;采用反应离子刻蚀去除残留光刻胶,就将图形转移到基板上。为了减小空气气泡对转移图案质量的影响,整个工艺过程都要在小于1 Pa的真空环境中进行。压印过程如图1所示。 热塑纳米压印技术一个最主要的特点是需要将光刻胶加热到玻璃化温度之上,常采用加热板加热,此方法在加热的过程中会造成热量的散失;加热和降温的过程,会浪费大量的时间,不利于批量生产的需求。中国台湾清华大学提出一种改进方法:利用频率27 kHz超声波来直接加热光刻胶至其玻璃化温度,实验中获得了宽300 nm,高500 nm的柱阵,这种改进可以将加热降温的过程缩短至几秒钟,有利于降低功耗、提高产量和降低成本。还有报道称通过改进光刻胶性能,不用加热其至玻璃化温度,改型光刻胶HSQ可以在常温下加压(2 451 kPa)即能获得宽200 nm,高100 nm的压印图案。气体辅助纳米压印技术是对施压方式的改进,压印前将掩模和基板对准后固定再置于真空腔体内,再向腔体内充入惰性气体加压。气体辅助压印技术有两个优点:一是真空环境可以使光刻胶中的气体顺利排出,减少光刻胶中气泡对图形质量的影响。二是利用气体施压压力均匀,压力的大小可以用进气量的多少控制,避免了机械施压过程中承片台需要采用多自由度自适应校正的难题。 紫外固化纳米压印技术由德州大学C G Willson教授提出。主要工艺过程:先制备高精度掩模板,而且要求掩模板对紫外光是透明的,一般采用SiO2材质作为掩模版;在基板上旋涂一层液态光刻胶,光刻胶的厚度为600 nm～700 nm,光刻胶要求黏度低,对紫外光敏感;利用较低压力将模板压在光刻胶之上,液态光刻胶填满模板空隙,从模板背面用紫外光照射,紫外光使光刻胶固化;脱模后用反应离子蚀刻方式除去残留光刻胶,将图案从模板转移到基板上。压印过程如图2所示。紫外固化纳米压印技术与热塑压印技术相比不需要加热,可以在常温下进行,避免了热膨胀因素,也缩短了压印的时间;掩模板透明,易于实现层与层之间对准,层与层之间的对准精度可以达到50 nm,适合半导体产业的要求。但紫外固化纳米压印技术设备昂贵,对工艺和环境的要求也非常高;没有加热的过程,光刻胶中的气泡难以排出,会对细微结构造成缺陷。生产中常常采用紫外固化纳米压印技术和步进技术相结合,形成步进式快闪纳米压印技术,工艺过程如图3所示。该方法采用小模板分步压印紫外固化的方式,