制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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制造半导体器件的方法.pdf

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可提供制造半导体器件的方法，其包括：在基板上提供第一前体以使所述第一前体的第一元素吸附到所述基板的第一区域上，在所述基板上提供第二前体以使所述第二前体的第二元素吸附到所述基板的第二区域上，所述第二区域不同于所述第一区域，和在所述基板上提供包括氧的反应物以形成包括所述第一前体的所述第一元素、所述第二前体的所述第二元素、和所述反应物的氧的氧化物半导体层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978774 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310429550.4 (22)申请日 2023.04.20 (30)优先权数据