南京理工大学《电力电子技术》习题集.docVIP

南京理工大学《电力电子技术》习题集 电 电 解 答西安交通大 学 王兆安 第4版 2006年4月13日 目 电 第1章 电力电子器件2第2章 整流电路5第3章 直流电波电路21第4章 交流电力控制电路和交交电电电路27第5章 逆电电路32第6章 PWM控制技电36第7章 电电电技电41第8章 电合电流电路43 2 第1章 电力电子器件 1. 使晶电管电通的件是什电,条 答,使晶电管电通的件是,晶电管承受正向电电～在电施加电电流;,。或,条阳极并极触脉冲 u0且u0。AKGK 2. 电持晶电管电通的件是什电,电才能使晶电管由电通电电电,条怎断 答,电持晶电管电通的件是使晶电管的电流大于能保持晶电管电通的最小电流～电持电流。条即 要使晶电管由电通电电电～可利用外加电电和外电路的作用使流电晶电管的电流降到接近于零断 的某一电以下～降到电持电流以下～便可使电通的晶电管电。数即断 3. 电1-43中电影部分电晶电管电于通电电的电流波形～各波形的电流最大电均电区I～电电算各波m 形的电流平均电I、I、I与电流有效电I、I、I。d1d2d3123 ππππ5ππ2ππ22π0004424b)c)a) 电1-43 电1-43 晶电管电电波形π1I2mIsinωtd(ωt)m解,a) I==()0.2717 I?+1d1m?π2π42π2 π1231Im(Isinωt)d(ωt)I==0.4767 I?+1mm?π42π224π1πI2mIsinωtd(ωt)mb) I==()0.5434 I?+1d2 m?ππ4π2 π12231Im(Isinωt)d(ωt)I==0.6741I+?2 mm?π42π24π11π2c) I== Id3mId(ωt)m?2π401π122I== I3 mId(ωt)m?202π 4. 上电中如果不考电安全裕量,电100A的晶电管能送出的平均电流I、I、I各电多少,电电～d1d2d3 相电的电流最大电I、I、I各电多少?m1m2m3 解,电定电流I =100A的晶电管～允电的电流有效电I =157A～由上电电算电果知T(AV) 3 I a) I329.35～I0.2717 I89.48????m1d1m10.4767I b) I232.90,I0.5434 I126.56????m2d2m20.67411 c) I=2 I = 314,I= I=78.5m3d3m34 5. GTO和普通晶电管同电PNPN电～电什电构GTO能电自电～而普通晶电管不能,断 答,GTO和普通晶电管同电PNPN电～由构PNP和NPN构两个体成晶管V、V,分电具αααα共基电流增益极和～由普通晶电管的分析可得～+=1是器件电界电通的件。条1212 αααα+,1～等效晶管电电和而电通～两个体+,1～不能电持电和电通而电。断1212 GTO之所以能电自行电～而普通晶电管不能～是因电断GTO与普通晶电管在电电和工电方面有以下点不同,几 α1) GTO在电电电电大～电电晶管体V控制敏～易于灵GTO电～断22 ααααα2) GTO电通电的+更接近于1～普通晶电管+1.15～而GTO电电+?12121α1.05～GTO的电和程度不深～接近于电界电和～电电电电控制电提供了有利件～极断条?2 3) 多元集成电使每构个GTO元电面电小～电和电电的距大电电短～使得极很极极离P极区所2电的向电阻小～而使电电抽出电大的电流成电可能。横很从从极 6. 如何防止电力MOSFET因电感电电起的电,静坏 答,电力MOSFET的电电电电薄弱～容易被电穿而电电。极很坏MOSFET的电入电容是低泄漏电容～当电电路电易受电干电而充上超电极极静20的电穿电电～所以电防止MOSFET因电感电而引起的电静? 坏几～电注意以下点, ? 一般在不用电其三电电短接～将个极 ? 配电人、工作台、电烙电必电接地～电电电所有电器外必电接地～装体壳 ? 电路中～电、源电常电电电二管以防止电电电高极并极 ? 漏、源电也要采取电电路等措施吸收电电电。极冲 7. IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的电电电路各有什电特点,答,IGBT电电电路的特点是,电电电路具有电小的电出电阻～IGBT是电电电电型器件～IGBT的电电多采用电用的混合集成电电器。 GTR电电电路的特点是,电电电路提供的电电电流有足电的前沿～有一定的电～电电可加速陡并冲 电通电程～小电通电耗～电电～电电电路能提供幅电足电大的反向基电电电流～加反偏截止电电～减断极并 以加速电速度。断 GTO电电电路的特点是,GTO要求其电电电路提供的电电电流的前沿电有足电的幅电和度～且陡 4 一般需要在整电通期电施加正电电流～电需施加电电电流～幅电和度要求更高～其电电电路个极断极陡 通常包括电通电电电路～电电电电路和电反偏电