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分析方法：将 PN 结分为三个区，在每个区中分别对半导体 器件基本方程进行简化和求解。 第2章 PN结 PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。 P 区 NA N 区 ND 突变结：P 区与N 区的杂质浓 度都是均匀的 ，杂质浓度在冶金结 面(x = 0)处发生突变。当一侧的 浓度远大于另一侧时 ，称为单边突 变结 ，分别记为 PN+ 单边突变结和 P+N 单边突变结。 线性缓变结：冶金结面两侧的 杂质浓度随距离作线性变化，杂质 浓度梯度 a 为常数。 2.1 PN结的平衡状态 平衡状态：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、 光照、磁场、辐射等外作用。 本节将介绍PN 结空间电荷区的形成，PN 结的内建电场、 内建电势，及平衡时的 PN 结空间电荷区宽度。 P 区留下NA- ，N 区留下ND+ ，形成 空间电荷区。空间电 荷区产生的电场称为 内建电场，方向为由 N 区指向P 区。电场 的存在会引起漂移电流，方向为由N 区指向P 区。 扩散电流： P 区 N 区 漂移电流： P 区 N 区 达到平衡时，净电流= 0 。于是就形成一个稳定的有一定 宽度的空间电荷区。 P 区 NA- pp0 NA- ND+ n 2.1.2 内建电场、内建电势与耗尽区宽度 1、耗尽近似与中性近似 耗尽近似：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完 全耗尽，空间电荷完全由电离杂质提供。这时空间电荷区又可 称为“耗尽区”。 中性近似：假设耗尽区以外多子浓度等于电离杂质浓度 ， 因而保持电中性。这时这部分区域又可称为“中性区”。 P 区 NA- pp0 NA- ND+ N 区 ND+ n n0 2、内建电场 对于 突变结，由第一章例 1.1 的式(1-14a)，当采用耗尽 近似后，在N 区的耗尽区中，泊松方程为 积分一次，得 由边界条件： 可求得常数 C 为 于是可得 (2-5a) 3、耗尽区宽度 在 x = 0 处，内建电场达到最大值， 由上式可求出 N 区与P 区的耗尽区宽度及总的耗尽区宽度， 称为 约化浓度 。 (2-6) (2-8) (2-7) 式中， 4、内建电势 对内建电场作积分可得 内建电势 (也称为 扩散电势) Vbi (2-10) 或 但是有 4 个未知数，即 、 、 法来求 。 以上建立了3 个方程，即( 2-6 ) 、( 2-7 ) 和 ( 2-10 ) ， 和 。下面用另一种方 (2-10) (2-6) (2-7) Vbi 与掺杂浓度、温度及半导体的种类有关。在通常的掺杂 范围和室温下， 硅的Vbi 约为 0.75V。 (2-13) ，故得 由于 ， 最后可得 5、单边突变结的情形 对于P+N 单边突变结， 则以上各式可简化为 2.1.3 能带图 已知突变结耗尽区内的电场分布E(x) 后 ，对E(x) 作一次 积分就可以求出耗尽区内的 电位分布 以及 电子的电位能 分布 。 在平衡状态下， PN 结能带图中的费米能级EF 是水平的 ， 而导带底EC 、价带顶EV 与本征费米能级Ei 则均与 有 相同的形状，由此可画出平衡PN 结的能带图如下图所示。 P 区 N 区 由图可见，电子从N 区到P 区 必须克服一个高度为qVbi 的势垒， 空穴从P 区到N 区也必须克服一个 同样高度的势垒，所以耗尽区也被 称为“势垒区”。 N 区 P 区 下面讨论载流子的浓度分布。平衡载流子浓度可表为 根据能带图， Ei (x) 可表为 代入载流子浓度表达式中，得 将上面关于 与 的两个方程联立，可解得 内建电势 Vbi 为 上式中， 以上关于平衡PN 结的各公式，都可推广到有外加电压时 的情形 。 如果设外加电压全部降落在耗尽区上， 则 只需将各 公式中的 Vbi用(Vbi – V)代替即可。注意外加电压的参考极性 与 Vbi相反。 例如，已知平衡时势垒区中的载流子浓度及其乘积为 则当有外加电压 V 时，势垒区中的载流子浓度乘积为